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电子基础材料和元器件“十一五”规划分析（下）
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http://www.chinairn.com 发稿日期：2008-1-21
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- 中研网讯：
- 5.绿色电池
大力发展绿色电池产业。依托现有产业基础，继续支持发展大容量、高可靠性锂离子电池和聚合物锂离子电池，扩大产业规模，积极开拓国际市场；重点开发再生能源体系用低成本高效率太阳能电池(含薄膜太阳能电池)；密切关注燃料电池发展动态，继续加大燃料电池研发力度；积极开发镍氢动力电池与锂离子动力电池，力争实现产业化。
6.新型半导体分立器件
紧紧抓住传统产业改造和电力系统改造的机遇，进一步加大科技投入，提高技术水平，大力发展新型半导体分立器件，重点发展半导体电力电子器件，包括纵向双扩散型场效应管VDMOS，绝缘栅双极型晶体管IGBT，静电感应晶体管系列SIT、BSIT、SITH，栅控晶闸管MCT，巨型双极晶体管GTR等。
7.新型机电组件
“十一五”期间，在继续保持中低档产品优势的同时，鼓励企业加大研发力度，重点研发无刷智能的微特电机，小型化、高密度、高频化、抗干扰多功能新型接插件，微型化、智能化的高性能继电器，大容量、宽频带的通讯、数据、电视、射频电缆，薄微型、高灵敏、宽频带、高保真电声器件，微波元件和组件(修改)，新型低衰减、高带宽、大容量光纤光缆等产品。
8.光通信器件
积极跟踪世界技术发展前沿，面向新一代移动通信、下一代互联网的重大应用，重点发展高速光收/发模块、光电耦合器、光有源器件、光电交换器件以及光无源器件和MEMS光开关等器件。
9.高亮度发光二极管
积极调整产品结构，重点研发四元系高亮度红、橙、黄发光二极管，蓝色、绿色、紫色、近紫外GaN、SiC发光二极管，并尽快实现产业化，基本形成从外延片、芯片制造、后工序封装及应用的完整产业链。
(二)新型显示器件
1.TFT-LCD显示器件
支持有自主知识产权和产业基础的优势企业，促进研究开发和产业化的有机结合，着力提高自主创新能力。引导和鼓励企业间的合作，加快建立国内彩电整机和显示器件企业间的合作机制，加大共性技术研发投入力度，提高我国平板电视的全球竞争力。重点建设液晶生产工艺技术开发中心、液晶模块技术工程中心和PDP工艺技术开发中心，支持建设第六代及其以上的TFT-LCD面板生产线，加快国内关键配套件的开发与产业化进程，力争在TFT-LCD用彩色滤光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生产设备以及材料上取得突破；逐步完善产业链，提高平板显示器件的自主发展能力。
2.PDP显示器件
通过技术引进和自主开发相结合，重点发展42英寸以上PDP显示屏、驱动电路及模块，掌握规模量产技术。建设2条以上PDP显示屏及模块生产线，鼓励和引导相关设备和专用材料的开发和产业化。
3.OLED等新一代显示器件及模块
依托现有产业技术基础，加大扶持力度，积极组织OLED等新一代显示器件和模块的基础技术研发，加快产业化进程，培育上下游产业，进一步提升产业竞争力。重点发展小尺寸手机主/副屏、PDA和MP3所用OLED显示屏，基本满足国内市场需求。继续大力支持LCOS等微显背投显示器件产业发展，积极跟踪FED等前沿技术发展动态。
4.CRT显示器件
紧跟时代潮流，在保持传统CRT显示器件优势的同时，加强大屏幕、高清晰、平面化、薄型化、数字化等高端产品的开发及量产，积极推进现有CRT企业产品技术升级和战略转型。重点发展数字高清晰度彩管及相关配套件以及医疗、仪器、核辐射等方面使用的特种示波管。
(三)电子材料
1.半导体材料
未来5年，在硅基材料方面，在引进基础上消化吸收再创新，大力发展半导体级和太阳能级多晶硅材料，力争掌握多晶硅的大规模生产技术；实现8英寸～12英寸硅单晶及外延片的产业化，力争国内配套；积极发展6英寸及以上SiGe，6英寸、8英寸SOI材料，4英寸～6英寸GaAs和InP等化合物半导体材料，加快产业化进程。重点支持面向国内6英寸及以上集成电路生产线所用的248nm及以下光刻胶、引线框架、金丝、超净高纯试剂以及8英寸及以上溅射靶材等配套产品，力争到2010年主要半导体材料国内市场占有率达到30%。
2.新型显示器件材料
“十一五”期间，紧紧抓住新型显示器件产业高速发展的机遇，加大引进消化吸收再创新的力度，鼓励整机企业、显示器件企业、材料企业加强合作，共同开展研发工作，尽快实现新型显示器件材料产业化。在TFT-LCD液晶显示器件关键材料方面，积极发展TFT-LCD液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色滤光片、偏光板和背光模组等关键材料生产技术，形成批量生产。PDP关键材料方面，重点发展荧光粉、电极材料、介质材料、障壁材料等。OLED关键材料方面，主要发展有机发光材料、隔离柱材料、Cr/ITO基板玻璃。
3.光电子材料
“十一五”期间，以高亮度发光材料为突破口，着重发展GaN、SiC等晶体及外延材料等，实现批量化生产，国内市场占有率达50%以上。保持我国在激光晶体材料方面的生产和技术优势，进一步加大研发力度，重点发展高功率激光晶体材料、LD泵浦激光晶体材料、可调谐激光晶体材料、新波长激光晶体材料、高效低阈值晶体材料。
4.磁性材料
保持规模优势，加大研发力度，提高产品附加值，重点发展粘结NdFeB永磁材料、纳米复合永磁材料、低温共烧材料和纳米软磁材料、巨磁致伸缩材料、磁制冷材料、电磁屏蔽材料、磁记录材料、高档永磁软磁铁氧体材料等市场前景好的材料。
5.电子功能陶瓷材料
继续做大产业规模，增强引进消化吸收再创新的能力，重点研发和生产高性能高可靠片式电容器陶瓷材料、低温共烧陶瓷(LTCC)材料及封装陶瓷材料以及贱金属电子浆料(Ni、cu)，提高产品技术水平，增强产业实力。顺应绿色化潮流，积极开展无铅、无镉等瓷料研究和生产，并开展纳米基瓷料研究和生产。
6.覆铜板材料
继续保持产业规模优势，积极调整产品结构，重点发展环保型的高性能覆铜板、特殊功能覆铜板、高性能挠性覆铜板和基板材料等。
7.绿色电池材料
以电池产业规模优势带动材料发展，替代进口，重点发展锂离子电池高性能、低成本正负极材料，绿色电池高性能隔膜材料。
8.电子封装材料
“十一五”期间，重点发展先进封装模塑料(EMC)、先进的封装复合材料、高精度引线框架材料、高性能聚合物封装材料、压电石英晶体封装材料、高密度多层基板材料、精密陶瓷封装材料、无铅焊料以及系统封装(SIP)用先进封装材料等材料。
政策措施
(一)加强行业宏观指导，研究制定相关政策措施
加强对行业的宏观指导，研究拟定新型平板显示器件等重点领域产业政策，适时修订《产业结构调整指导目录》和《外商投资产业指导目录》，调整关税政策，加快特色产业园建设，营造有利于产业发展的政策环境。充分发挥行业协会等中介组织的作用，引导产业有序竞争，营造公平的市场环境。
(二)加大资金扶持力度
加大国家投入，支持电子材料和关键元器件的研究开发。组织平板显示器件等专项工程，以科技重大专项带动社会投资。拓宽融资渠道，形成政府、银行、股市、企业多方共同投资的资金投入。
(三)积极利用外资，扩大国际合作
对于技术差距较大的领域，鼓励国内企业与国外企业开展相关技术合作，通过引进消化吸收和再创新，提高我国对相关技术的掌握能力。引导和鼓励跨国公司以多种方式在华建立电子材料和元器件生产、研发和服务中心。
(四)加强人才队伍建设
根据发展趋势，在相关高等院校、科研院所设立或恢复有关电子材料和元器件的学科设置，培养技术、管理及复合型高级人才；结合后备人才培养的需要，建立若干专业特点突出，行业发展急需高素质人才的培养基地；建立若干对在职技术人员进行继续教育的专业技能培训中心，加强职业技能教育。根据行业的发展，不断调整企业人才结构。大力引进海归人才，吸纳和培养各类高级技术、管理人才，重点引进既懂技术、又懂经营管理和市场营销的复合型人才。 - ■ 与【电子基础材料和元器件“十一五”规划分析（下）】相关新闻
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