意法半导体制造8寸碳化硅晶圆 2021碳化硅单晶片应用领域和市场空间

• 2021年7月30日 HuangJiang来源：新浪 471 24
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意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功。碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间， 2019年全球碳化硅功率器5

意法半导体制造8寸碳化硅晶圆 2021碳化硅单晶片应用领域和市场空间

碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整车的主要技术指标和整体性能有着重要影响。

7月30日消息，意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功。

意法半导体的首批200mm SiC晶圆片质量上乘，影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。低缺陷率的取得离不开意法半导体碳化硅公司(前身是Norstel公司，2019年被ST收购)在SiC硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。除了晶圆片满足严格的质量标准外，SiC晶圆升级到200mm还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。

随着汽车产业向电动化、智能化、网联化不断升级，市场对汽车芯片的需求快速增长。在疫情等多方因素影响下，全球半导体芯片供应出现短缺潮，并波及汽车产业。

碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。

碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间， 2019年全球碳化硅功率器件市场规模为5.41亿美元，预计2025年将增长至25.62亿美元，年化复合增速约30%。

自去年下半年以来，全球晶圆代工产能出现了持续的紧缺，特别是8吋晶圆制造产能尤为紧缺。由于功率半导体主要依赖于8英寸晶圆制造产能，再加上电动汽车出货的持续增长，对于功率半导体器件的需求激增，导致功率半导体出现了严重的缺货、价格暴涨。

今年2月份，国内功率半导体厂商士兰微发布了部分产品品类涨价通知，包括 MOS 类、IGBT、SBD、FRD、功率对管等均开始调价。英飞凌、意法半导体、安森美、安世半导体(已被闻泰科技收购)等头部的功率半导体大厂也再度将产品的价格上调了10~15%。数据显示，目前各大功率半导体原厂年内订单已全部排满，面对上游原材料的涨价及下游旺盛的需求，各家大厂也在不断上调价格。

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