碳化硅(SiC)作为第三代化合物半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点,SiC器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势,广泛应用于新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域。
碳化硅(SiC)作为第三代化合物半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点,SiC器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势,广泛应用于新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域。由于技术迁移成本高、价格高企、产能紧张等因素,我们认为碳化硅仍处于渗透早期,当前主要应用于中高端新能源车、充电桩及基站射频等领域,我们预计全球SiC器件市场规模2025年将达59.79亿美元,较2020年翻5倍。
在半导体应用中,SiC主要用于电力电子器件的制造。从SiC器件制造流程顺序来看,SiC器件的制造成本中,SiC衬底成本占比50%,SiC外延的成本占比25%,这两大工序是SiC。
在上游原料供应方面,高纯石英砂是碳化硅的主要原料之一。因高纯石英砂的制备成本高、加工工艺要求高,因此目前全球具备批量生产高纯石英砂的厂商较少。在国外厂商方面,尤尼明、The Quartz Corporation是主要供应商;在国内厂商方面,石英股份是目前国内生产高纯石英砂龙头企业。
从下游需求情况来看,2018-2019年,受新能源汽车、工业电源等应用的推动,全球电力电子碳化硅的市场规模从4.3亿美元增长至5.64美元,Yole预测未来市场仍将因新能源汽车产业的发展而增长,预计2020年的市场规模将达6亿美元。
第三代半导体是国家2030规划和“十四五”国家研发计划确定的重要发展方向,是我国半导体产业弯道超车的机会,要重点扶持、协同攻关第三代半导体产业,可以在国内重点扶植3-5家世界级龙头企业,加大整个产业链条的合作力度。
国内外各大半导体元器件企业纷纷加大了新产品的推广力度,第三代半导体也开始频频出现在各地园区招商引资名单中。8月18日最新消息,碳化硅龙头科锐(Cree)宣布2021年财年第四季度财报时透露,公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工厂,使其能够充分利用未来几十年的增长机遇。
2018年全球碳化硅市场只有4亿美元,到2024年有望达到50亿美元。碳化硅未来增量和存量市场上都会有爆发。
在SiC产业链中,龙头企业的经营模式以IDM模式为主,主要的市场份额被德国Infineon、美国Cree、日本罗姆以及意法半导体占据;与国际巨头相比,国内IDM厂商泰科天润、瑞能半导体以及华润微还有较大差距。
从全球碳化硅(SiC)衬底的企业进行情况来看,2018年,美国CREE公司占龙头地位,市场份额达62%,其次是美国II-VI公司,市场份额约为16%。总体来看,在碳化硅市场中,美国厂商占据主要地位。
新能源汽车是SiC功率器件的主要增长点,充电桩也是,以直流充电桩为例,据CASA测算,电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%,2018年整个直流充电桩SiC电力电子器件的市场规模约为1.3亿,较2017年增加了一倍多。
SiC功率器件存在很多优势,未来发展空间也在逐渐增大,不过在发展SiC器件的过程中,还是存在不少问题,从近几年的发展来看,国内外厂商还是研究机构,都在加大投入发展更有的技术和产品,相信未来SiC器件不管在性能还是价格等多方面都会更适应市场需求。
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