由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。
由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器(SRAM)只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
与大部分的随机存取存储器(RAM)一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器(volatile memory)设备。
与所有半导体产品一样，少数公司倾向于控制特定产品的多数市场份额，DRAM也不例外，存储器行业科技含量高，高昂的研发成本使得资本支出大且增速高于其他行业，从而垄断格局牢固，巨头优势下马太效应愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨头已经在DRAM领域形成了“高市占率→高营业额→研发投入大→技术领先→抢占市场”的良性循环。据统计，2020年Q3三星占据41.3%市场份额，SK海力士占据28.2%市场份额，美光占据25%市场份额，其他占比5.5%。
目前国内三大存储器制造商分别是长江存储，福建晋华和合肥长鑫。长江存储主要负责NAND Flash技术研发，福建晋华和合肥长鑫则负责DRAM领域。2018年下半年福建晋华投产之后，被美国商务部以国家安全为由列入出口管制清单，美国三大半导体制造商在禁令当天撤出福建晋华12寸厂，随后技术合作方台湾联电表态终止合作，福建晋华于2019年3月停产。目前国产替代DRAM最大希望就在合肥长鑫。
据公开数据统计，今年全球存储器的市场规模将超过1500亿美金，其中NAND Flash大约在650亿美元左右，而DRAM大概在911亿美元。未来随着智能手机、PC、数据中心等对存储器需求不断增长，从2020年到2025年全球NAND Flash容量将维持在30%左右高增长，DRAM容量将以20%左右的增长率成长。
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