2022年中国IGBT市场现状分析 全球IGBT行业发展向好

• 陈泽芳 2022年12月9日 来源：中研普华 互联网 937 58
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当下IGBT国产化率还是很低的，2019年只有12%，据说2022年可能会突破30%，国产替代的空间是相当大的。国产厂商目前铆足了劲扩产，凭借性价比、本土供应链便利性是很有可能趁机扩大市场份额的。从我国IGBT应用结构情况来看，工业控制、新能源汽车、新能源发电已然是IGBT

从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了6代升级，从平面穿通型到沟槽型电场到截止型，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到了6500V以上。IGBT是诞生于20世纪80年代的功率半导体分立器件，进入工业应用时间较晚，虽然目前占整体功率半导体分立器件市场份额较小，但它代表了未来的发展方向，市场规模增长很快。其中IGBT7作为最新一代技术，其沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现5kv/us下的最佳开关性能。

随着近年来全球IGBT行业发展向好，其市场规模也随之逐年递增。据资料显示，2021年全球IGBT市场规模约为70.9亿美元，同比增长6.6%。2021年我国IGBT产量为2580万只，同比增长27.7%;需求量为13200万只，同比增长20%。

当下IGBT国产化率还是很低的，2019年只有12%，据说2022年可能会突破30%，国产替代的空间是相当大的。国产厂商目前铆足了劲扩产，凭借性价比、本土供应链便利性是很有可能趁机扩大市场份额的。从我国IGBT应用结构情况来看，工业控制、新能源汽车、新能源发电已然是IGBT主要的应用领域。其中新能源汽车占比约为31%，工业控制占比约为20%，新能源发电占比约为11%。

根据中研普华产业研究院发布的《2022-2027年中国IGBT市场现状分析及发展前景预测报告》显示：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor，GTR)的低导通压降两方面的优点。

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。

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  2022-2027年中国IGBT市场现状分析及发展前景预测报告

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