SK海力士在HBM(High Bandwidth Memory,高宽带内存)领域的成功确实引人注目。根据IT之家的报道,SK海力士今年的HBM产能已经售罄,明年的订单也基本售罄,这显示了市场对该公司HBM产品的强烈需求。
SK海力士在HBM(High Bandwidth Memory,高宽带内存)领域的成功确实引人注目。根据IT之家的报道,SK海力士今年的HBM产能已经售罄,明年的订单也基本售罄,这显示了市场对该公司HBM产品的强烈需求。同时,SK海力士预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品,并准备在第三季度开始量产,这进一步巩固了其在HBM市场的领先地位。
全球对于高性能运算和汽车应用的强劲需求,以及内存市场的复苏,正在推动全球用于前端设施的300mm晶圆厂设备支出的增长。根据SEMI的报告,预计这一支出在2025年将首次突破1000亿美元,到2027年将达到1370亿美元的历史新高。这种增长趋势与HBM和DDR5等内存技术的需求提升密切相关,因为人工智能工作负载需要更强的带宽能力来促进设备和处理单元之间更快的数据交换。
在产业链方面,HBM的发展可能会带动半导体前道制造设备的需求,但影响相对有限。而后道的封测设备则存在量价齐升的逻辑。此外,如果未来混合键合技术得以广泛应用,混合键合设备市场规模将会有明显扩容。
总的来说,SK海力士在HBM市场的成功,以及全球对于高性能内存技术的需求增长,都预示着存储行业正迎来全面复苏。考虑到当前下游需求复苏的节奏以及存储原厂的盈利需求,预计2024年主流存储产品价格有望延续上涨态势。这种趋势对于存储产业链的企业来说,无疑是一个积极的信号,有望带动相关公司的业绩加速修复。
根据中研普华研究院《2023-2028年中国存储设备行业发展分析与投资前景预测报告》显示:
国家互联网信息办公室官微“网信中国”发布消息,美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查。按照《网络安全法》等法律法规,我国关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。
长江存储等品牌产品能够替代绝大部分美光公司产品,而如今很多客户都在积极开发国产替代方案,预计今后国产芯片占比将大幅增加。
日前,存储芯片海外厂商三星、SK海力士等传出涨价消息,预计在下一季拉动DRAM(存储芯片主要品类之一)价格上涨,目标涨幅为7%至8%。
内存产业具有强周期属性,市场波动性强,对企业的抗风险能力提出挑战。Chey Tae-won指出,芯片行业的涨跌周期较短,波动幅度较大,这为企业做出持续性的决策带来了困难。他建议韩国企业将视野拓展到中东、南美、非洲等市场,并加强在中国这一韩国最大出口市场的业务布局。
自2022年第二季度以来,全球第二大DRAM厂商SK海力士(SK集团旗下半导体公司)营收已经连续四个季度下滑,但海力士对于存储市场的供需改善持乐观预期。
在第一季度财报电话会上,SK海力士首席财务官Kim Woo-Hyun表示,2023年第一季度客户库存水平普遍下降,加上内存供应商的减产措施全面生效,预计内存整体库存从第二季度开始改善。
随着大模型和生成式人工智能的技术开发和商业化竞争加剧,市场对128GB及更高密度DDR5模块的需求迅速增长,预计2023年DRAM需求有望实现中高个位数增长,NAND有望实现中高两位数增长。
此前,全球最大DRAM供应商三星电子于7月7日发布2023年第二季度业绩预告,预计营收为60万亿韩元(约合474.27亿美元),营业利润为6000亿韩元(约合4.74亿美元),较上一季度分别下滑5.88%和6.25%,环比跌幅较之前四个季度有所收敛。韩国投资证券分析师Chae Min-sook表示,内存库存将在第二季度末开始下降。
在服务器需求的推动下,DDR5的市场份额预计从第三季度起逐步提升,DRAM平均销售价格将加速回暖。由于三星在市场低迷时期也持续投资DRAM业务,2024年三星DRAM市场份额有望自2016年以来首次超过45%。
而全球第三大DRAM厂商美光已经在业绩层面看到了触底回暖的迹象。在6月28日公布的第三财季(截至2023年6月1日)财报中,美光营收37.5亿美元,较上一季度环比提升1.62%。
对于下一财季,美光预计营收为39亿美元,上下浮动2亿美元。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示,存储行业已经走过了营收低谷,随着供需逐渐恢复平衡,预计公司利润率将有所改善。
中国存储器市场近年来持续扩大。随着数字化转型、云计算、人工智能、物联网和5G技术的推进,对存储器的需求持续增加。大数据、高清视频、虚拟化和边缘计算等应用的兴起,也推动了存储器市场的增长。中国的存储器制造商逐渐崭露头角。一些本土企业积极投入存储器研发和制造领域,努力实现技术自主创新。这种趋势有助于降低国内市场的对外依赖,提升本土产业竞争力。
目前我国已成为全球最大的消费类电子市场,其庞大的消费群体及旺盛的消费需求,吸引全球集成电路产业向中国市场转移,提升并丰富了我国集成电路产业链。同时,产业政策的支持吸引一大批高端人才回国发展,人才聚集使得国内企业逐步积累了自主知识产权和核心技术,为半导体存储器的国产替代提供了产业基础,推动自给率提升,为行业带来新的发展机遇。
国内半导体存储器行业相较于国外起步较晚,存储颗粒厂、存储控制芯片公司、存储模组厂处在快速成长期,与国际较为成熟的半导体存储器生态相比,国内半导体存储器行业在企业数量、个体竞争力、产业链协同度及生态完善性等方面均有所不足,基础较为薄弱,关键技术创新能力较弱,以至于部分高端市场目前仍由国际领先企业主导,特别是存储颗粒、存储控制芯片主要市场份额及前沿技术仍掌握在三星电子、美光科技、SK海力士等国际巨头手中。
目前中国存储器市场国产化率极低,但是纵观国内整个存储产业链,存储器国产化具备一定的产业基础。在设计端,兆易创新从事NOR Flash、长鑫和西安华芯从事DRAM、长江存储从事NAND Flash;在制造端,武汉新芯和中芯国际具备一定的制造能力,同时紫光国芯也开始布局该领域;在封测端,长电科技、华天科技和深科技均有一定的封测能力。
《2023-2028年中国存储设备行业发展分析与投资前景预测报告》由中研普华研究院撰写,本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析,重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力,以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态,对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。
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