铌酸锂因其电光特性而闻名,已成为广泛使用的光学材料之一。在信息时代,网络中每一个比特的电子数据都要经过铌酸锂调制器转换为光子信息,进而通过光纤传向世界。因此,铌酸锂被誉为光电子时代的“光学硅”。
在人工智能、自动驾驶、虚拟现实等技术的发展下,信息传输的需求越来越高,因而需要更高带宽更高高速率的信息转换芯片,这带动了光通信芯片市场的快速发展。而基于铌酸锂材料的技术在光通讯产品上具有非常明显的性能优势。
铌酸锂因其电光特性而闻名,已成为广泛使用的光学材料之一。在信息时代,网络中每一个比特的电子数据都要经过铌酸锂调制器转换为光子信息,进而通过光纤传向世界。因此,铌酸锂被誉为光电子时代的“光学硅”。
根据中研普华产业研究院发布的《2021-2025年中国铌酸锂行业发展前景及深度调研分析报告》显示:
铌酸锂是一种无机物,化学式为LiNbO3,是一种负性晶体、铁电晶体,经过极化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等多性能的材料,同时具有光折变效应。
铌酸锂是一种上世纪70年代就发明出来的材料,具有较好的压电效应,能用于射频前端芯片里的射频滤波器;铌酸锂还具有良好的电光效应,能用于高速光通讯调制器芯片的生产,未来用于数据中心高速光通信市场。它的化学性能相对稳定,可以耐高温、抗腐蚀,容易加工;且成本相对较低,适合大规模推广,在下游器件使用中具有成本优势。
类似于电学芯片领域芯片制程越高,硅片越大,单位面积成本越低,铌酸锂晶体也会向着大尺寸方向发展,以降低成本。此外,铌酸锂晶体向8英寸发展后,可以复用目前行业内已有的部分生产装备,可以大幅降低资本支出。
铌酸锂晶体是用途最广泛的新型无机材料之一,它是很好的压电换能材料,铁电材料,电光材料,铌酸锂作为电光材料在光通讯中起到光调制作用。其单晶是光波导、移动电话、压电传感器、光学调制器和各种其它线性和非线性光学应用的重要材料。近几年,我国铌酸锂单晶产销量均保持快速增长趋势,2021年中国铌酸锂单晶产量达125万片,同比增长20.2%;需求量达132万片,同比增长20.0%,预计2022年中国铌酸锂单晶产量和需求量将分别达到155万片和162万片。
AI大模型的训练和应用,将给算力、网络设备、光模块带来较大的弹性,且有望驱动光模块的技术升级需求。具有“光学硅”之称的铌酸锂是一种集光折变效应、非线性效应、电光效应、声光效应、压电效应与热电效应等于一体的材料,其中铌酸锂调制器是光子集成回路和现代通信的核心器件,已成为当前电光调制器市场的主流产品。
光子集成(PIC)技术相对于目前广泛采用的分立元器件,在带宽、功耗、成本、可靠性方面优势明显,是未来光器件的主流发展方向。在新一代高速宽带接入、数据中心及5G建设驱动下,光子集成器件行业将迎来新一轮技术、产品升级,DFB激光器芯片、AWG芯片及其他光子集成芯片需求增长迅速,其中,电信级铌酸锂高速调制器芯片产品设计难度大,工艺非常复杂,全球仅有富士通、住友和光库科技三家公司可以批量供货体材料铌酸锂调制器。
有些晶体内部由于自发极化存在着固有电偶极矩,当对这种晶体施加电场时,外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种优势取向,因此,必然改变晶体的折射率,即外电场使晶体的光率体发生变化。在光通讯中,电-光调制器就是利用电场使晶体的折射率改变这一原理制成的。电光晶体位于起偏镜和检偏镜之间,在未施加电场时,起偏镜和检偏镜相互垂直,自然光通过起偏镜后检偏镜挡住而不能通过。施加电场时,光率体变化,光便能通过检偏镜。通过检偏镜的光的强弱由施加于晶体上的电压的大小来控制,从而实现通过控制电压对光的强弱进行调制的目的。
目前,铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。
具有“光学硅”之称的铌酸锂材料通过最新的微纳工艺,在硅基衬底上蒸镀二氧化硅(SiO2)层,将铌酸锂衬底高温键合构造出解理面,最后剥离出铌酸锂薄膜,这样制备出的薄膜铌酸锂调制器具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产、且与CMOS工艺兼容等优点,是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。
铌酸锂行业研究报告旨在从国家经济和产业发展的战略入手,分析铌酸锂未来的政策走向和监管体制的发展趋势,挖掘铌酸锂行业的市场潜力,基于重点细分市场领域的深度研究,提供对产业规模、产业结构、区域结构、市场竞争、产业盈利水平等多个角度市场变化的生动描绘,清晰发展方向。预测未来铌酸锂业务的市场前景,以帮助客户拨开政策迷雾,寻找铌酸锂行业的投资商机。
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2021-2025年中国铌酸锂行业发展前景及深度调研分析报告
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