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存储产品价格已呈现筑底态势 中国存储器行业市场竞争格局

浪潮信息生成式AI存储解决方案拥有极致融合、极致性能、极致节能,和热温冷冰四级全生命周期存储管理四大特点,助力AIGC突破海量数据存力瓶颈,加速释放数据的AI价值

多模态生成式AI(AI Generated Content,AIGC)是指通过生成和分析多种模态的数据,如文本、图像、音频、视频等,以实现更加丰富和精准的智能应用。与传统机器学习方法相比,多模态生成式AI能够充分利用多种数据之间的关联性,提高模型的泛化能力和鲁棒性。生产式AI是人工智能从1.0时代进入2.0时代的重要标志,其具备强大的认知智能,在搜索引擎、艺术创作、影音游戏、文本生成、语音生成、图片生成、视频生成、代码生成、虚拟人生成以及金融、教育、医疗、工业等领域有着广阔的应用前景。

当前存储产品价格已呈现筑底态势,叠加存储原厂减产、下游库存水位持续修正,目前行业已处于周期底部,下半年需求有望逐步回暖;创新方面,AI高速发展推动HBM为代表的高性能存储器需求快速增长,预计HBM市场24年将达64亿美金,AI有望开启存储成长新篇章。

存储系统支持大模型生成式AI

Gartner预测,到2023年将有20%的内容被AIGC所创建;到2025 年人工智能生成数据占比将达到10%。据分析师预测,到2032年,生成式人工智能市场规模将达到2,000亿美元,占据人工智能支出总额的约20%,显著高出当前的5%。换言之,未来十年市场规模可能每两年就会翻一番。

生成式AI的背后是基于行业上下游对数据进行采集、标注、训练、推理、归档,其特征是数据量大、多元数据类型复杂、服务协议多样、性能要求苛刻、要求服务持续在线。

EB级大容量存储需求:越多的数据投喂结果越精准的工作原理,决定了大模型训练存在深度学习网络层数多、连接多、参数和数据集种类复杂、数据量大的特征,随着模型参数和数据量的快速增长,对于存储的大容量和扩展需求也迫在眉睫。

数据存储产业需要进行全方位的技术升级,通过在多源异构融合、数据高速传输、海量数据管理等方面持续创新,打造专业的生成式AI存储产品与解决方案。

浪潮信息生成式AI存储解决方案

浪潮信息生成式AI存储解决方案用一套AS13000融合存储支撑生成式AI的全阶段应用,提供全闪、混闪、带库、光盘四种介质,支持文件、对象、大数据、视频、块协议,可满足大容量、多协议共享,百万以上IOPS,100GB以上带宽,冷数据的长期保存和归档。结合AIGC数据处理的五个阶段:数据采集、数据准备、数据训练、数据推理和数据归档,由同一套存储提供端到端的数据流支持流程,满足面向文本、音频、图像、视频、代码以及多模态和全模态的模型需求。

浪潮信息生成式AI存储解决方案拥有极致融合、极致性能、极致节能,和热温冷冰四级全生命周期存储管理四大特点,助力AIGC突破海量数据存力瓶颈,加速释放数据的AI价值:

极致融合。为了应对不同模态的多样性需求,浪潮信息提出协议融合设计理念,一个集群内支持多个存储池,一个存储池内支持文本、图片、音频、视频等多种类型数据存储,一份数据又可以被前端不同业务场景以文件、对象、大数据以及视频的存储方式进行并行访问。用一套存储实现多模态场景应用,应用间数据实现实时共享,同时节省了大量的存储空间。

极致性能。AIGC场景数据类型多样化,文件大小不一数量多,且读写频繁,对存储系统的100GB级带宽、100万级IOPS需求成了常态。浪潮信息在软件方面,通过数控分离架构减少东西向数据量的转发,通过GDS、RMDA技术缩短I/O路径,通过SPDK、缓存零拷贝技术减少I/O路径上的数据拷贝,以及基于自研NVMe SSD开发的盘控协同技术,减少I/O访问SSD盘的次数,使存储性能得到进一步释放。在硬件方面,优化IO路径通道,均衡IO路径,最大化发挥硬件性能,全闪单节点带宽超过50GB/s,IOPS超过50万;创新性的引入双控全闪节点,带宽超过100GB/s,IOPS超过100万,真正使系统达到了TB级带宽、千万级IOPS、EB级带宽。

根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

中国内地市场曾是美光科技最大的市场之一,2018年美光在中国内地的营收达到173.57亿美元(约合人民币1182亿元),占到该公司当年总收入的58%。此后,其在中国内地的营收规模、占比逐年下降,美光科技2022财年在中国内地市场的收入为228亿元人民币,占比为10.8%。

华为是美光最大的客户之一,美光大约13%的年收入是来自对华为的销售。

当地时间3月28日,美光科技发布了最新季度财报,其中显示,由于半导体市场对3D NAND(闪存)、DRAM(动态随机存取内存)需求锐减,美光科技2023财年第二季度(截至2023年3月2日)的收入为36.93亿美元,相比去年同期大幅下降52.6%,净亏损高达23.12亿美元(约合人民币160亿元),为史上最惨的一份财报。

根据中研普华研究院《2023-2028年中国存储器行业发展分析与投资前景预测报告》显示:

半导体需求及价格持续滑落,造成南韩半导体大厂满手库存,据外媒报导,三星电子、SK海力士和东部高科,截至2023年第一季度末,半导体库存总额已接近50兆韩元,创下有统计以来最高库存金额历史纪录。

产业市况低迷,对三星电子和SK海力士两大厂商影响明显,三星电子存储业务的营收,连续三个季度季比及年比大幅下滑;SK海力士的营收也是连续三个季度季比及年比皆大幅下滑,去年四季度和今年一季度更出现了亏损。

根据芯片资深从业人员透露,三星电子已经通知了它的分销商,将不再以低于当前价格出售DRAM芯片。

三星作为内存龙头企业,它的DRAM价格如果可以停止下跌,那其它厂商大概率会效仿,比方说:中国龙头企业的颗粒报价已经从上周开始抬升。当龙头企业的价格已停止下跌时,或许还会有更多的厂商会效仿,那么现货价格或许很快就能起稳,那涨价也是大概率事件。

存储芯片根据其性质可划分为不同的类型。按照掉电后数据是否可以继续保存在器件内,存储芯片可分为:掉电易失和掉电非易失两种。

易失存储芯片主要包含:静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。像这次三星价格反弹的芯片,也就是这个动态随机存储器(DRAM)。

非易失性存储器主要包括:可编程只读存储器 (PROM),闪存存储器(Flash)和可擦除可编程只读寄存器(EPROM/EEPROM)等。

在这么多种类种,目前主要由:DRAM 和 NAND Flash ,这两种占据主要存储芯片市场。

据 TrendForce 数据,22Q4 全球 DRAM 市场规模为121.55 亿美元,主要被:三星、SK 海力士等三家巨头垄断,三家市场份额合计高达 95.8%。

存储器价格已跌破历史最低位置

价格端,存储器价格已跌破历史最低位置(当前DRAM价格距离最高点下跌超60%,部分料号现货价与合约价已经出现倒挂),价格潜在下跌空间较小。供给端,原厂库存开始减少,模组厂商库存逐渐见底,主动去库存效果明显。需求端,服务器新世代CPU的推出和AI需求增加,将提升DDR5、HBM等高性能产品及高密度模组的需求。该行认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部,并看好2023年二三季度存储板块迎来止跌。

根据IC Insights的数据,2021年DRAM在整个存储市场的市场份额约为56%,Flash闪存的市场份额约为43%,其中NAND闪存为41%,NOR闪存为2%,其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM)将会缓慢成长,但大幅抢占市场的可能性较小。

2024年NAND市场规模有望达684亿美元,随着NAND原厂陆续缩减资本开支,NAND产能正在逐渐收敛,库存去化正在进行。该行看好原厂和渠道的库存水位或在23年Q2或Q3见顶,NAND价格出现弹性,2024年NAND市场有望实现复苏。目前NAND行业形成了三星、海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC六家公司同台竞争的格局,2022Q3的CR3达65%,CR6接近95%,随着WDC与铠侠的合并谈判急速,该行预计未来行业集中度将进一步提高。美光、三星和海力士都有望在23年将产能转进200层以上,Solidigm以及铠侠/WDC将落后一世代的制程。3D NAND解决了2D结构下“闪存缩放限制”的问题,大容量、高堆叠层数的3D NAND 将是行业未来发展趋势。

2023年全球DRAM市场规模有望达596亿,DRAM厂商产能增加幅度收敛,DRAM厂商扩产计划有所延后。数十年的大浪淘沙后,2022Q3 DRAM市场CR3超过95%,三星、海力士和美光分别占比41%、29%和26%。DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM ,随着国外大厂逐渐推出利基市场(三星21Q4停产DDR2,预计23年停产DDR3;海力士也计划停产DDR3),国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV和3D DRAM或成未来趋势,从三大厂商的工艺制程上看,美光在制程上领先,三星在EUV的使用上领先。

2028年NOR Flash市场规模有望达61亿美元,21-28年CAGR达14.4%,NOR Flash十年低迷期已过,新应用的普及打开向上成长曲线。NOR Flash凭借接口简单、轻薄、低功耗、系统总体成本更低、读取速度快等特点成为5G、TWS蓝牙耳机、AMOLED、IOT以及自动驾驶汽车等新应用的首选,NOR Flash和NAND Flash性能和定位不同,二者可互补而不可替代。NOR Flash市场经历数次洗牌,海外厂商逐渐撤退,中国台湾和中国大陆厂商趁势而起,2021年NOR Flash市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据,市占率分别为35%、33%和23%。

该行测算得2026年HBM市场规模有望达56.9亿,2022-2026年CAGR有望达52%。“3D堆叠+近存储运算”突破内存容量与带宽瓶颈,HBM成为处理大量数据和复杂处理要求的理想解决方案。根据TrendForce的数据,2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士约50%、三星约40%、美光约10%,随着海力士在HBM3产品上的持续领先,预计海力士市占率将继续走高。

《2023-2028年中国存储器行业发展分析与投资前景预测报告》由中研普华研究院撰写,本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析,重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力,以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态,对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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