作为二十世纪最重要的新四大发明之一,也作为二十一世纪集成电路、芯片等载体的半导体,其重要性不言而喻。
碳化硅作为第三代半导体材料,优势突出,拥有良好的发展前景,在新能源汽车领域将会是主要的驱动力。与硅基半导体材料相比,以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和 电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点,适合于制作高温、高频、抗辐射及大 功率器件。
实际上,碳化硅相比硅带来的最大变化我们可以总结为“旧结构+新材料”,亦即通过 把材料更换为碳化硅解决过去硅基 MOSFET 在高电压场景下的瓶颈,让高频高速的 MOSFET 得以在高压场景下充分发挥开关效率高的优势。
根据中研普华研究院撰写的《2022-2026年中国碳化硅行业竞争格局及发展趋势预测报告》显示:
碳化硅行业市场深度调研
近年来,随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长,硅基半导 体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显,如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速 膨胀成为了半导体产业内重点关注的问题,以碳化硅为首的第三代半导体材料在这一趋 势下逐渐从科研走向产业化。
碳化硅半导体在军事、航空航天信息通讯、微波设备都均有大量应用。在未来,碳化硅单晶衬底材料大尺寸化获将成为主要的发挥趋势。
碳化硅化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。此外,碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级),具有优良的导热性能。
目前中国工业生产的碳化硅分为黑碳化硅和绿碳化硅两种,都属于α-碳化硅。其中黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。
作为二十世纪最重要的新四大发明之一,也作为二十一世纪集成电路、芯片等载体的半导体,其重要性不言而喻。生活中小到手机、电脑,大到汽车、移动通讯等电子产品、设备,都与其无不相关。半导体材料作为半导体产业链上中游的重要组成部分,自然在半导体产品生产制造起到关键性作用。
伴随着第四次工业革命到来,大量新技术都需要依靠芯片来实现,但在过去的几十年间,中国的半导体材料过度依赖进口,无法自给自足的半导体产业限制了中国信息技术产业的发展。而伴随着“双碳”目标进入推进的关键阶段,先进半导体材料在诸多关键新材料中的地位也逐渐突出。
中国碳化硅企业分布主要集中在华东地区,在西部甘肃、宁夏等地也形成了一定的聚集效应。目前江苏地区的企业最多,超过1200家企业,河南、宁夏等地碳化硅企业通常超过1000家。从整体规模来看,碳化硅企业分布较为广泛,企业数量较多。
碳化硅器件领域代表性的企业中,目前来看在国际上技术比较领先的是美国的Wolfspeed,其覆盖了整个碳化硅产业链的上下游(衬底-外延-器件),具有核心的技术。国内厂商主要有中电55所、中电13所、世纪金光、扬杰科技、中车时代电气、嘉兴斯达、河南森源、常州武进科华等。
碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。通常采用物理气相传输法(PVT法)制备碳化硅单晶,再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法)等生成外延片,最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中,由于衬底制造工艺难度大,产业链价值量主要集中于上游衬底环节。
随着技术的成熟以及下游需求的快速增长,近年来全球各企业加速布局碳化硅行业,相继推出多款产品。从晶体管(SiC MOSFET)来看,2021年国际上共有10余家公司推出超过200款SiC MOSFET系列产品,击穿电压基本集中在650V和1200V。随着碳化硅下游市场的超预期发展,碳化硅产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。
碳化硅行业报告对中国碳化硅行业的发展现状、竞争格局及市场供需形势进行了具体分析,并从行业的政策环境、经济环境、社会环境及技术环境等方面分析行业面临的机遇及挑战。还重点分析了重点企业的经营现状及发展格局,并对未来几年行业的发展趋向进行了专业的预判。
本报告同时揭示了碳化硅市场潜在需求与潜在机会,为战略投资者选择恰当的投资时机和公司领导层做战略规划提供准确的市场情报信息及科学的决策依据,同时对政府部门也具有极大的参考价值。
未来,碳化硅行业发展前景如何?想了解关于更多行业专业分析,请点击《2022-2026年中国碳化硅行业竞争格局及发展趋势预测报告》。
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2022-2026年中国碳化硅行业竞争格局及发展趋势预测报告
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