全球及中国IGBT市场现状分析及发展前景预测

• 2022年11月1日 HuangWenYu来源：百度百科 中研报告 WSTS SEMI 501 27
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IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。

IGBT的概念

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

根据中研普华产业研究院发布的《2022-2027年中国IGBT市场现状分析及发展前景预测报告》显示：

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。据数据显示，2021年我国半导体材料行业市场规模达99亿美元，同比增长12.3%，预计2022年中国半导体材料市场规模将达107亿美元。

IGBT行业市场现状分析

从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了6代升级，从平面穿通型到沟槽型电场到截止型，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到了6500V以上。IGBT是诞生于20世纪80年代的功率半导体分立器件，进入工业应用时间较晚，虽然目前占整体功率半导体分立器件市场份额较小，但它代表了未来的发展方向，市场规模增长很快。其中IGBT7作为最新一代技术，其沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现5kv/us下的最佳开关性能。

从我国IGBT应用结构情况来看，工业控制、新能源汽车、新能源发电已然是IGBT主要的应用领域。其中新能源汽车占比约为31%，工业控制占比约为20%，新能源发电占比约为11%。

现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。2021年10月30日22时，国家电网自主研发生产的3300伏IGBT器件经过连续两天2次12小时40万千瓦功率大负荷连续试运行，在福建厦门柔直鹭岛换流站完成调试。

随着近年来全球IGBT行业发展向好，其市场规模也随之逐年递增。据资料显示，2021年全球IGBT市场规模约为70.9亿美元，同比增长6.6%。2021年我国IGBT产量为2580万只，同比增长27.7%;需求量为13200万只，同比增长20%。

作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。

2017-2022 年全球 IGBT 市场规模 CAGR 达 7.04%，中国市场主要应 用包括新能源汽车、工控、消费电子。受益于工业控制及电源行业市场的 逐步回暖，以及下游的变频家电、新能源汽车等领域的迅速发展，全球及中国 IGBT 市场规模持续增长。预计2022年全球 IGBT 市场规模将达到近 57 亿美元，2017-2022 年CAGR 达到 7.04%。

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