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长江存储注册资本增至千亿 数据中心DRAM成内存市场需求

与此同时,随着人工智能与高性能计算(HPC)等新兴应用的普及,服务器对内存的需求则一路走旺。从这个角度看,Trendforce认为服务器内存将成为DRAM行业未来几年内的核心主体。该公司预计,单在2023年之内,服务器的平均DRAM容量就将增长12%。

最新数据显示,用于手机和个人电脑的DRAM内存的平均价格在去年第四季度暴跌了34.4%,为2008年以来最大跌幅,而上一季度的跌幅为31.4%。销售给数据中心和企业客户的主要产品闪存NAND也分别跌27.7%、32%,两个季度的跌幅均创2008年以来最大。

与逻辑芯片不同,内存产品是标准化的并且通常可以互操作:一家公司的内存芯片通常可以替代另一家公司的内存芯片。这些特性通常会增加内存市场的弹性,因为内存客户愿意为主流市场支付费用价格通常可以从市场上的任何内存生产商处采购他们的产品。

长江存储注册资本增至千亿

在美方持续升级对华半导体出口管制背景下,国产存储大厂长江存储运营近况备受关注。最新工商变动信息显示,长江存储注册资本已增至千亿元,新增国家集成电路产业基金二期(“大基金二期”)、湖北长晟发展、长江产业投资集团为公司主要股东。其中,大基金二期认缴出资近129亿元。

最新工商信息显示,2023年2月27日,长江存储注册资本从562.75亿元变更为1052.7亿元,同比增加约87%。主要股东中,大基金二期认缴出资128.87亿元,持股比例达到12.24%,位居第四大单一持股股东;大基金(一期)持股则相应稀释,持股比例从约24%降至12.88%。

另外,湖北长晟发展有限责任公司认缴出资300.69亿元,持股占比达28.56%,成为目前长江存储单一持股比例最高的大股东;长江产业投资集团认缴出资28.64亿元,持股比例为2.72%。

除了出手认缴出资外,大基金二期已经参与到长江存储二期投资,在2021年12月8日获认缴180亿元,在二期投资中持股占比30%。

对于大基金二期等股东最新出资认缴情况,长江存储方面未予置评。

除了投资长江存储外,大基金二期持续布局国产芯片制造以及相关配套环节。今年1月份,大基金二期投资国产半导体制造龙头之一华虹半导体,并且联合投资合计67亿美元用于公司扩充12英寸晶圆产能,在去年6月大基金二期还增资华虹无锡子公司;另外,去年11月,通富微电定增也获大基金认购近3亿元。

服务器DRAM将成为内存市场

尽管消费市场低迷,但数据中心业务有望力挽狂澜。随着数据中心市场需求的持续增长,以及同期消费级设备受宏观经济低迷的拖累,今年服务器内存产品在DRAM总销售容量方面有望超越移动设备内存。

根据市场研究机构Trendforce公布数据称,过去几个月来内存市场长期处于直线下降状态。2022年第四季度DRAM平均销售价格下降了34%,而此前一个季度也下降了31%。

如今,分析人士预计智能手机出货量与设备平均DRAM容量也将增长乏力,两项指标在2023年内恐怕将会原地踏步。

因此,Trendforce预计服务器内存在DRAM供应商销售问题中的占比将持续提升,年内占比将达到37.6%左右,正式反超占比36.8%的移动DRAM产品。

根据Trendforce的分析,智能手机厂商在设计2022款产品时,普遍倾向于利用现有库存内的组件来满足硬件规格,因此限制了手机DRAM容量的进一步增长。

展望2023年,Trendforce预计智能手机的平均DRAM容量将增长6.7%。虽然明显高于2022年3.9%的增幅,但同比增长率基本保持不变,而且恐怕未来几年内将始终处于10%以内的低增长区间。

与此同时,随着人工智能与高性能计算(HPC)等新兴应用的普及,服务器对内存的需求则一路走旺。从这个角度看,Trendforce认为服务器内存将成为DRAM行业未来几年内的核心主体。该公司预计,单在2023年之内,服务器的平均DRAM容量就将增长12%。

根据中研普华研究院《2022-2027年中国内存卡行业供需趋势及投资风险研究报告》显示:

全球前六大DRAM厂商的收入无一例外都在暴跌,而在价格占中最积极的三星出货量不降反增,季度收入55.4亿美元,虽然环比也跌了25.1%,却是各家中最少的。

同时,三星的市场份额来到45.1%,一个季度就收获了4.4个百分点,算是一场惨胜。

SK海力士季度收入33.98亿美元,环比下降35.2%,积极加大出货也于事无补,份额跌至27.7%。

美光收入28.29亿美元,环比暴跌41.2%,出货量也大大缩水,份额从26.4%降至23.0%,是各家厂商中最惨的。

另外,在台系厂商中,南亚跌30.0%,华邦跌30..3%,力积电跌39.5%,但三家份额合计才3.1%,基本稳定不变。

从目前的形势看,DRAM厂商还要在困境中挣扎很长一段时间,内存价格也会持续走低。

内存市场竞争现状分析

美光、SK海力士、三星等厂商一直不断地追逐NAND闪存更高层数,在跨越100层后便开始向200+层迈进,以达到性能的提高。

从去年的技术成绩来看,美光方面,2022年7月,美光全球首款232层NAND闪存在新加坡工厂正式量产,而当时的三星正在苦研176层NAND闪存。同年12月,美光成功向PC OEM客户出货232层NAND客户端SSD,该产品适用于主流笔记本电脑和台式机。

SK海力士方面,2022年8月,SK海力士成功开发出238层NAND闪存,这是目前世界最高层数,该公司已向客户发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年投入量产。

三星方面,随着业界不断传出闪存技术的新动态,三星也不免跟着着急,面对各种杂音,三星曾表示将在2022年内发布236层NAND闪存产品。为进一步加大研发力度,三星还计划开设一个新的研发中心,该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。

终于在2022年11月,三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片,这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb(128GB)三比特单元(TLC)的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在开发中,并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存。

三星曾预计,到2030年公司将打造出堆叠层数超1000层的V-NAND。并且为了实现这一目标,三星正在从当前的TLC架构过渡到四级单元(QLC)架构,以提高密度和启用更多层数。

而西数/铠侠方面,西数于去年5月表示,未来将与铠侠推出200层以上(BiCS+)的闪存产品,2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上的闪存技术。不过目前西数和铠侠暂无最新的消息。

从市场份额上看,据TrendForce集邦咨询2022年11月23日研究显示,截止2022年第三季度,在NAND闪存市场,三星的市场份额为31.4%,排行第一;其次是铠侠、20.6%;后面是SK海力士、18.5%,西部数据、12.6%,美光、12.3%。

《2022-2027年中国内存卡行业供需趋势及投资风险研究报告》由中研普华研究院撰写,本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析,重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力,以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态,对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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