随着科技的快速发展,半导体行业也在不断寻求新的材料和工艺,以实现更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。在这个过程中,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,逐渐走入了人们的视线。
随着科技的快速发展,半导体行业也在不断寻求新的材料和工艺,以实现更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。在这个过程中,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,逐渐走入了人们的视线。
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。
中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体。碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC。
①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。
此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工,可使表面粗糙度从Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。
在电子领域,碳化硅功率器件已经广泛应用于充电桩、充电器、电源、变频器,逆变器等领域,能够提高能源利用效率,减小设备体积和重量,降低成本。
在医疗领域,碳化硅X射线探测器具有高灵敏度、低噪声、高分辨率等优点,有助于提高疾病诊断效率和治疗效果。在汽车领域,碳化硅功率器件能够提高车辆的能效和可靠性,减少维护成本,是新能源汽车发展的重要方向之一。
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。
低品级碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上,主要使用化学气相沉积法(CVD 法)在衬底表面生成所需的薄膜材料,即形成外延片,进一步制成器件。应用领域最终主要分为射频器件(5G、国防等)和功率器件(能源等)。
近年来中国碳化硅功率器件市场规模快速增长,其主要驱动因素之一是新能源汽车市场的快速渗透。2021年,新能源汽车占下游应用市场的份额为38%。其次是消费类电源,占比为22%;光伏逆变器占据着15%的份额。
我国功率半导体行业经历个四个阶段:拓荒时代、本土联盟、结构性变革和国产替代,我国功率半导体产业仍处于起步阶段,总体呈现产业链完整、厂家多、发展迅速等特点。截止2022年4月,中国功率半导体相关企业已超320家。主要分布在广东(130家)和江苏(56家)等东南沿海地区。
功率半导体市场稳中向好,全球功率半导体市场规模由2017年的441亿美元增长至2022的年481亿美元。2020年受疫情影响功率半导体市场规模有所下降,但2021年便恢复至459亿美元。
碳化硅在半导体器件领域中是第三代半导体材料代表之一,从碳化硅器件的制造成本结构来看,衬底成本最大,占比达47%;其次是外延成本,占比为23%。这两大工序是SiC器件的重要组成部分。
其次分别为前段和研发费用,占比分别为19%和6%。根据数据,2018年和2021年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和9.3亿美元,复合增速约32.4%,受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅器件市场规模增速可观。
根据中研普华产业研究院发布的《2022-2027年中国碳化硅行业市场全景调研及投资价值评估研究报告》显示:
从市场竞争格局来看,全球碳化硅器件市场格局仍由海外巨头主导,以意法半导体、英飞凌、科锐、罗姆半导体等为代表的企业占据了大部分市场份额。国内厂商中,比亚迪已经在整车中率先使用SiC器件,比亚迪半导体率先实现了SiC三相全桥模块在电机驱动控制器中的大批量装车。
碳化硅分为黑碳化硅和绿碳化硅,2020年中国黑碳化硅产量为75万吨,绿碳化硅产量为10.5万吨,2021年中国黑碳化硅产量为90万吨,绿碳化硅为11万吨,产量相继上涨。说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。
根据海关显示,2020年受到全球疫情影响,中国碳化硅进口量急剧下降,2020年中国碳化硅进口量为1624.7吨,同比下降72.89%,随着疫情态势的放缓,中国碳化硅进口量有一定的恢复,2021年中国碳化硅进口量为3873.5吨,同比增长138.41%,增长可观。
数据显示,2018-2020年和2021上半年晶棒良率分别为41%、38.57%、50.73%和49.90%,衬底良率分别为72.61%、75.15%、70.44%和75.47%,综合良率目前大约为37.7%。
说明中国碳化硅的技术级层面有限,目前还没有找到能提高综合良率的办法。在碳化硅器件各环节生产中,衬底的成本最高,为47%,第二为外延,占比12%,第三为前段,占比19%,这是碳化硅器件生产过程中最重要的三个环节,生产成本过高导致利润收入减少,售价溢出就会降低产品的渗透率,从而阻碍碳化硅的发展。
2023年5月4日,从中科院物理所获悉,该所科研团队在碳化硅材料产业化方面再迎进展:国际知名半导体企业英飞凌科技近日发布公报称,已与中国碳化硅材料供应商天科合达签订一份长期供货协议,以维护整体供应链稳定。后者正是中科院物理所产学研合作的产物。
随着碳化硅(SiC)在电动汽车、新能源等领域的应用日益广泛,市场需求不断增长。近期,一批碳化硅项目集中开工,部分公司接到批量订单,推动了碳化硅加速量产。
相关机构表示,碳化硅市场高增长趋势吸引业界激进投资,远期规划产能合计数已超远期需求,未来供过于求将导致尾部厂商被出清,技术(降本能力)、产能(有效产能)、客户关系为决定竞争格局的关键要素。
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