中国存储芯片行业竞争格局分析
据中研普华产业研究院发布的《2024-2029年中国存储芯片行业市场竞争分析及发展预测报告》显示,虽然目前我国存储芯片行业全球市场份额较低,但其发展迅速,目前技术水平已达到行业主流水准。2016年以前,我国还不具有存储芯片研发、生产能力,芯片需求完全依赖进口。2016-2018年,武汉新芯、合肥长鑫、长江存储相继成立。
2018-2020年,长江存储攻克64层3DNAND技术并开始量产,打破了NAND Flash芯片的国际垄断。2021年,兆易创新推出首款自有品牌DDR4产品,实现了从设计、流片,到封测、验证的全国产化。
存储芯片有多种细分市场,以NAND Flash和DRAM存储芯片为主。长江存储作为我国NAND Flash龙头企业,完成128层NAND Flash存储芯片技术突破。Trend force数据显示,三星、海力士、美光都计划在2020年推出128层的(TLC/QLC),而在2020年后,QLC将逐步发展并成为主流。
在2018年后,中国的长江储存技术出现在世界视野中,中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商,目标第三季进入投片、年底前量产,拟用于UFS、SSD等各类终端产品,并同时出货给模组厂。
中国存储芯片厂商发展力强,成长空间较大。从中国存储芯片行业竞争格局来看,市场主要由国外存储芯片巨头领导,细分领域也落后于国外及台湾厂商(如NOR Flash的旺宏/华邦等),但近年来国内厂商奋力追赶,已在部分领域实现突破,逐步缩小与国外原厂的差距,其中,兆易创新位列NOR Flash市场前三,聚辰股份在EEPROM芯片领域市占率全球第三,长江存储128层3DNAND存储芯片,直接跳过96层,加速赶超国外厂商先进技术。
值得注意的是,兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT),意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力,扮演中国半导体发展的重要角色。总而言之,中国存储芯片行业发展形势较为乐观,但还有一段漫长的路要走。
更多存储芯片行业深度分析,请点击查看中研普华产业研究院发布的《2024-2029年中国存储芯片行业市场竞争分析及发展预测报告》。
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2024-2029年中国存储芯片行业市场竞争分析及发展预测报告
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