中国高纯氮化硅行业发展分析2023

• 陈泽芳 2023年6月1日 来源：互联网 789 48
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现阶段，将高热导率氮化硅陶瓷用于电子器件的基板材料仍是一大难题。目前国外仅有东芝、京瓷等少数公司能将氮化硅陶瓷基板商用化：例如东芝的氮化硅基片(TSN-90)的热导率为90 W/(m·k)。国内有北京中材人工晶体研究院成功研制的热导率为80 W/(m·k

高纯氮化硅具有纯度高、分散性好的特点，主要应用在高端零部件。在自然界中，地壳中氮含量和硅含量十分丰富，但天然氮化硅含量十分稀少，这是由于高纯氮化硅的制备条件很苛刻：制备温度要求严格，温度过高，氮化硅易分解，温度过低，化学反应不完全;气氛的纯度要求高，气氛中不能混有氧气，避免硅元素与氧元素结合生成二氧化硅;氮气纯度要求高，制备添加剂的种类和用量将直接影响氮化硅产物的纯度以及质量，制备过程中需要进行严格的筛选和控制。

高纯氮化硅具有纯度高、分散性好的特点，主要应用在高端零部件。在自然界中，地壳中氮含量和硅含量十分丰富，但天然氮化硅含量十分稀少，这是由于高纯氮化硅的制备条件很苛刻：制备温度要求严格，温度过高，氮化硅易分解，温度过低，化学反应不完全;气氛的纯度要求高，气氛中不能混有氧气，避免硅元素与氧元素结合生成二氧化硅;氮气纯度要求高，制备添加剂的种类和用量将直接影响氮化硅产物的纯度以及质量，制备过程中需要进行严格的筛选和控制。

中国高纯氮化硅行业发展分析2023

现阶段，将高热导率氮化硅陶瓷用于电子器件的基板材料仍是一大难题。目前国外仅有东芝、京瓷等少数公司能将氮化硅陶瓷基板商用化：例如东芝的氮化硅基片(TSN-90)的热导率为90 W/(m·k)。国内有北京中材人工晶体研究院成功研制的热导率为80 W/(m·k)、抗弯强度为750MPa·m1/2的氮化硅陶瓷基片材料，这与东芝公司的商用氮化硅产品性能相近。

新材料产业具有高风险、高投入、高回报、长周期等特性，与金融机构传统的服务对象不同，因此新材料产业的融资难度较大。在发达国家，新材料依托传统材料产业，在产业格局及商业模式方面已经发展成熟，对于早期技术研发及产业化有稳定的资金支持，包括银行、政府基金及产业巨头为主的战略投资者等。对中国新材料产业而言，一方面国内整体产业基础薄弱、投融资环境仍不成熟，另一方面，作为新兴产业，投资者对新材料行业的商业模式及成长价值的判断也不够体系化，投资策略及投资规模仍较为保守。

根据中研普华研究报告《2022-2027年中国高纯氮化硅行业发展分析与投资预测报告》显示：

目前国内制备高纯氮化硅的生产工艺已经成熟，其制备方法主要包括硅粉直接淡化法、碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶—凝胶法、热分解法、自蔓延高温合成法等。其中硅粉直接淡化法是利用高纯硅粉在高温下和氮气反应生成氮化硅粉体，制备工艺成熟，被广泛应用于化工行业。碳热还原法是将碳与二氧化硅混合，然后在高温状态下通入氮气，根据碳量多少可生成不同产物，使用此方法得到的氮化硅纯度较低。使用溶胶-凝胶法可制得高纯度、超细粒、低成本的氮化硅粉体，但相对生产设备昂贵、工艺复杂。

价格上，高纯氮化硅走过了一条曲折下降之路，从最早的两千元/公斤，到现在的一千多元/公斤，下滑势头明显。相较海外几家大型企业，国内的氮化硅企业在产品生产上采取自主研发设备，而且在价格上采取“薄利多销”的模式，对于快速占领市场更具优势。高纯氮化硅的主要竞争因素是其优异的性能，能够满足高端装备的需要。目前，国内高纯氮化硅生产技术较成熟，技术创新方面很难有较大的提升，行业处于成熟期，市场需求较稳定。

中科院上硅所曾宇平研究院团队成功研制出平均热导率为95 W/(m·k)，最高可达120 W/(m·k)且稳定性良好的氮化硅tacit，其尺寸为120㎜×120㎜，厚度为0.32㎜，外形尺寸还能根据实际需求进行调整。我国军工航天、高铁重工等领域的飞速发展，促使各项科技行业对大功率电子器件的需求逐步加大。为适应更为苛刻复杂的应用条件，大功率电子器件必须朝着耐高温、高频、低功耗及智能化、系统化、模块化的方向发展。

高纯氮化硅是近年来发展势头较好的一种特种高温结构陶瓷材料，其化学性能十分稳定，产品应用领域广泛。目前，国内高纯氮化硅行业发展相对稳定，市场需求将保持平稳增加。业界人士表示，高纯氮化硅是近年来发展势头较好的一种特种高温结构陶瓷材料，由于高纯氮化硅具有良好的润滑性、耐磨性、抗热性、抗震性以及化学稳定性，其产品应用领域广泛。目前，国内制备高纯氮化硅的生产工艺已经成熟，高纯氮化硅行业发展相对稳定。

想要了解更多高纯氮化硅行业详情分析，可以点击查看中研普华研究报告《2022-2027年中国高纯氮化硅行业发展分析与投资预测报告》。

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