2023报告：DRAM市场预计将在2023年第四季度实现供需平衡

• 黄文玉 2023年7月11日 来源：互联网 319 13
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动态随机存取存储器(DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。

DRAM行业投资趋势预测

据业内人士称，DRAM市场预计将在2023年第四季度实现供需平衡。

DRAM芯片需求经历了PC推动周期、PC&Notebook推动周期，目前正处于智能手机&服务器&AloT推动周期。2020年上半年受新冠疫情影响，服务器、智能手机、PC需求激增带动DRAM价格迅速回升，新一轮上升的大趋势基本确定。

动态随机存取存储器(DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器(SRAM)只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

DRAM行业市场发展现状分析

与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。与大部分的随机存取存储器(RAM)一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器设备。

DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵。基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后再把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半，反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。

云计算、大数据的兴起，服务器的数据容量和处理速度在不断提高，推动了DDR技术的升级迭代，目前市场上主流技术规范为DDR4和LPDDR4，DDR5技术即将进入商用领域。DRAM占存储器市场规模的58%，为最大的细分市场。DRAM以其经济、可靠、高效的特点，被广泛运用于移动设备、服务器、PC等市场。

就全球存储芯片定位而言，2021年DRAM占比全球储存市场61%的市场份额。主要原因是DRAM属于易失存储器，多用与cpu缓存和图像系统的帧缓存区，起到临时储存数据的功能，如遇断电则数据则会丢失信息，更大的缓存空间代表同时可处理和储存的数据更多，属与电子设备必须的组成部分。

根据中研普华产业研究院发布的《2022-2027年中国DRAM行业市场深度调研及投资策略预测报告》显示：

全球DRAM或Flash市场价格分为合约价和现货价，价格走势是跟踪景气变化的关键指标，合约价：ContractPrice，大客户，价格按照协议合约走，定期议价，不受期间价格波动影响，占比约90%。2020年DRAM下游移动式(手机、移动端)占39.6%;服务器占33.9%;PC占13.1%;消费电子占7.9%;图形技术占5.5%。

随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外，见下文)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。主存即电脑内部最主要的存储器，用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般电脑主存的最主要部分。

PC端、移动端、服务器端为DRAM主要需求来源,市场需求占比大。PC端进入存量替代市场，出货稳定;移动端和服务器端DRAM需求旺盛;5G热潮以及5G智能手机带来的出货增长拉动了DRAM需求;车用DRAM是将成为DRAM的新战场。移动端DRAM自2012年超过PC端以来始终是DRAM最大市场，目前占DRAM总出货量40%左右。2020年全球手机出货量约12.92亿台，同比下降5.76%。

目前产品最新标准迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。传统异步DRAM已被淘汰，读/写时钟与CPU同步的SDRAM作为DRAM的升级成为主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代(DDR5)，制程方面，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm(16-19nm)/1Ynm(14-16nm)/1Znm(12-14nm)/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。整体来看，国产企业长鑫仍存在一定差距。

TrendForce最新公布的数据显示，DRAM市场中，DDR5芯片现货价格再次震荡下行，DDR4、DDR3产品现货价格继续下跌，整体市场还未出现价格反弹的迹象。受此影响，厂商和贸易商都处于备货状态，但近期部分买家开始寻求小批量订单的报价，尽管这种需求并没有对整体成交量带来太大的提振。

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