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2022硅基光电子技术发展前景及研究最新进展

  • 2022年5月11日 WuYaNan来源:互联网 1158 75
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硅光子技术将硅光模块中的光学器件与电子元件整合到一个独立的微芯片中,使光信号处理与电信号的处理深度融合,最终实现真正意义上的“光互联”。

2022硅基光电子技术发展前景及研究最新进展

硅基光电子发展前景如何?我国硅激光技术研究进展如何?随着信息技术的不断拓宽和深入,人们对信息传输和处理的要求越来越高。硅基光电子集成技术(简称“硅光技术”),通过传统微电子 CMOS 工艺实现光电子器件和微电子器件的单片集成,是研究和开发以光子和电子为信息载体的硅基大规模集成技术。

硅基光电子技术拥有光的极高带宽、超快速率和高抗干扰特性以及微电子技术在大规模集成、低能耗、低成本等方面的优势,更适应未来高速、复杂的光通信系统。同时可以满足长距离数据传输以及微电子芯片间的短距离大容量数据传输,通过与微电子集成电路进行单片集成,实现高速、低功耗的片上互连,突破微电子处理器在数据互连上的瓶颈。

根据中研普华研究院《2022-2027年中国硅基光电子行业发展现状及趋势预测报告》显示:

硅基光电子技术的发展始于上世纪80年代,Soref发现了晶体硅中的等离子色散效应,为硅基电光调制提供了理论基础。硅光子技术其核心理念是“以光代电”,即利用激光束代替电子信号进行数据传输。硅光子技术将硅光模块中的光学器件与电子元件整合到一个独立的微芯片中,使光信号处理与电信号的处理深度融合,最终实现真正意义上的“光互联”。

硅基光电子集成芯片的性能受限于硅材料本身的光电性能,仍存在无法高密度集成光源、集成低损耗高速光电调制器等问题。因此,利用不同种材料发挥其各自光电特性优势的硅基光电异质集成技术近年来发展迅速。硅基光电异质集成技术不仅拥有硅材料可大规模 CMOS 制造的特点,同时充分发挥不同材料的优异光电特性,可实现传统硅光技术无法媲美的器件指标,进而实现真正意义上的硅基光电子单片集成系统。

近 10 年来,硅基光电子集成的关键材料和器件研究引起了科学界和工业界的广泛关注,仅美国 Intel 公司对硅基光电子的研发投入就高达数十亿美元。

美国国防部高级研究计划局(DARPA)设立“用于通用微尺度光学系统的激光器”(LUMOS)项目,投入 1900 万美元进行硅基异质材料集成光源的研究。日本能源与工业技术发展组织投入 22.5 亿日元用于硅基高亮度、高效率激光器的开发。欧盟“地平线 2020”投入 262 万欧元用于异质硅基光源的开发。在政府的一系列支持推动下,光电异质集成技术飞速发展,在学术和产业领域取得了一系列技术突破。

我国硅基光电子技术研发进展

在“863 计划”“973 计划”和国家自然科学基金等支持下,我国也加大了硅基异质集成方向的研究力度,在硅基关键光电子集成器件等方面取得了一系列重要成果,调制、探测、复用与解复用等分立器件已经研制成功,异质集成衬底、光源、高速光电调制器等方向取得了一系列重要进展。

国内光模块公司大多还采用传统的透镜封装方案,目前尚未有公司在量产产品上使用异质集成解决方案。相比国外各大公司、代工厂的产业化发展,我国在硅基异质集成方面产业发展较为缓慢,尚未形成一定规模的公司基于异质集成技术开发产品并批量出货。

得益于硅基材料在短波中红外波段的高透明度、高光学非线性和成熟的CMOS制作工艺等优势,硅基光子技术有望为实现低成本、大规模单片光电子集成应用提供一种极具前景的解决方案。

未来通过开展新型红外光电材料的片上异质集成、采用亚波长结构调控片上光场特性、改进微纳加工技术降低波导器件光学损耗等方面的研究,短波中红外硅基光子学器件和系统的性能有望得到进一步提升。

想了解更多关于硅基光电子行业专业数据分析,请点击查看中研普华研究院出版的报告《2022-2027年中国硅基光电子行业发展现状及趋势预测报告》。本报告重点分析了硅基光电子前十大企业的研发、产销、战略、经营状况等。报告还对硅基光电子市场风险进行了预测,为硅基光电子生产厂家、流通企业以及零售商提供了新的投资机会和可借鉴的操作模式,对欲在硅基光电子行业从事资本运作的经济实体等单位准确了解目前中国硅基光电子行业发展动态,把握企业定位和发展方向有重要参考价值。

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