半导体行业代表企业

• 陈博 2023年11月3日 来源：中研网 1145 74
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美光科技于1978年在美国创立，作为全球最大的半导体存储及影像产品制造商之一，其主营业务包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、CMOS图像传感器等，2022年美光科技在全球DRAM市场以25%市占率排名第三，在全球NAND市场以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的设计

1、三星电子：全球最大存储芯片供应商，市场份额长年稳居首位

三星电子作为全球领先的电子企业，业务涵盖消费电子、IT和移动通信、设备解决方案等，尤其是在DRAM和NANDFlash半导体存储领域，三星电子长期稳居全球第一的位置，据TrendForce数据，2022年三星在DRAM和NAND市场全球市占率分别达43%和33%，是全球存储芯片行业最核心的供应商。三星电子成立于1969年，于1984年开发了256KbDRAM，1992年成功研发出世界首个64MbDRAM，1999年开发出首款1GbNAND闪存，2013年成功开发3DV-NAND技术，2018年量产LPDDR5DRAM，当前三星的10nm级工艺和极紫外光刻(EUV)技术已经开发出了大容量512GBDDR5内存模块，同时，其第8代V-NAND内存层数已达236层，公司存储技术处于全球领先位置。

在整个存储芯片发展历程中，三星电子通过多次逆向投资实现市场份额不断提升。早在20世纪80年代，在DRAM市场低迷、价格迅速下跌时，英特尔DRAM业务亏损严重退出市场，日本企业也大幅缩减资本开支，而三星通过采用逆向投资，不断扩大产能，促使其在20世纪90年代一举成为全球第一大存储芯片供应商;随后在1993年全球半导体市场开始转弱时，三星继续采取逆周期投资策略投资建设8英寸DRAM产线;2008年，金融危机爆发导致DRAM价格崩盘，三星再次进行逆周期投资，大幅扩张存储芯片业务，行业亏损也因此进一步加剧，导致后续几年奇梦达和尔必达都相继宣布破产，三星的龙头地位得到持续夯实。

2、SK海力士：全球知名存储龙头，AI存储领域先行者

SK海力士为全球领先的存储龙头企业，公司致力于生产DRAM、NANDFlash和CIS非存储器为主的半导体产品，在韩国、中国无锡和重庆共设有四个生产基地，2022年SK海力士以28%市占率在全球DRAM市场排名第二，以13%市场份额在全球NANDFlash市场排名第四。1984年SK海力士首次成功试产16KbSRAM，1999年收购LG半导体，2004年成功研发NANDFlash产品，2013年首次研发全球首款TSV技术HBM，2019年成为业界首次成功研发出128层4DNAND的企业，现阶段，SK海力士成功开发出全球首款12层堆叠的HBM3DRAM新产品，其DDR5采用了EUV光刻的1αnm技术，NAND方面，2022年公司成功研发238层4DNAND闪存，2023年展示了其最新300层3DNAND产品原型，预计将在2024-2025年期间上市。

FY23Q2营收环比大增，短期净利润承压。SK海力士发布2023财年第二季度财报，FY23Q2公司实现营收7.31万亿韩元，同比-47%，环比+44%，营业利润亏损2.88万亿韩元，净利润亏损2.99万亿韩元。分产品来看，DRAM收入占比达62%，位元增长率环比+30%，ASP实现环比个位数增长;NAND收入占比达30%，位元环比增长50%，ASP环比下降10%。

3、美光科技：全球最大存储芯片供应商之一，研发技术优势市场突出

美光科技于1978年在美国创立，作为全球最大的半导体存储及影像产品制造商之一，其主营业务包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、CMOS图像传感器等，2022年美光科技在全球DRAM市场以25%市占率排名第三，在全球NAND市场以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的设计，并于1981年推出首款64KDRAM产品，1984年推出世界上最小的256KDRAM，2021年美光推出业界首个1α节点DRAM，2022年公司开始向其客户运送其1β节点DRAM产品样品，率先进入1β阶段，其EUV技术预计将于2024年使用。NAND方面，公司于2020年11月便实现全球首款176层3DNAND量产，2022年实现232层NAND产品出货。

FY23Q3单季营收高于指引中值，毛利率环比改善。FY23Q3单季度美光科技实现营收37.5亿美元，同比-57%，环比+1.6%，尽管公司依旧亏损19亿美元，但亏损幅度进一步收窄，公司GAAP毛利率为-17.8%，Non-GAAP毛利率为-16%，均高于Q2原指引区间。拆分业务板块来看，FY23Q3公司DRAM业务实现营收27亿美元，同比-57%，环比-2%，位元出货量环比+10%，ASP环比-10%;NAND业务实现营收10亿美元，同比-56%，环比+14%，位元出货量环比+30%，ASP环比下降15%。展望FY23Q4，公司预计营收将同比下滑44%-38%至37-41亿美元，GAAP毛利率将环比改善至-15%至-10%区间，对应Non-GAAP毛利率为-13%至-8%。

国家网信办对美光科技开展网络安全审查。2023年3月，国家网信办发布消息，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，对美光科技在华销售的产品实施网络安全审查。经审查发现，美光科技的产品存在较严重网络安全隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，按照相关规定，国内关键信息基础设施运营者应停止采购美光科技的产品。本次审查事件将影响美光公司在中国市场的销售，由于美国科技限制等原因，美光中国市场收入占总收入比例由2018年的58%下降至2022年的11%。我们认为，此次审查事件彰显出国家对半导体安全可控以及信创工程的高度重视，将进一步推动国产存储器产业链发展。

4、兆易创新：全球NORFlash龙头，利基型DRAM拓展有序

兆易创新成立于2005年4月，总部设于北京，公司主营业务分为存储器、微控制器和传感器三大板块，据公司官网显示，公司在存储领域公司是全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商，在NORFlash市场占有率全球第三、中国大陆第一，累计出货量近212亿颗。

NORFlash全球领先，DRAM、NANDFlash拓展有序。公司NORFlash技术和市场处于全球领先位置，512Kb-2Gb全容量覆盖市场不同需求，2022年工业和汽车领域稳步提升，车规产品收入同比增加80%，车规产品累计出货量达1亿颗，消费市场以中高端客户为主;在NANDFlash方面，38nm和24nm两种制程产品实现全面量产，容量覆盖1-8Gb，相关产品已通过车规级认证;DRAM方面，公司积极切入DRAM利基市场，并已量产1X节点DDR4、DDR3L产品。

多重因素导致业绩阶段性承压，研发投入持续增加巩固领先地位。受全球经济下行、地缘政治冲突等多重因素影响，2022年公司实现营收81亿元，同比减少4.5%，其中，存储芯片业务实现营收48亿，占营收比例达59%，归母净利润21亿元，同比减少12%，尽管公司业绩短期承压，但其持续加大研发投入，2022年公司研发费用达9亿元，同比增加11%，研发费用率达12%，公司技术人员占比约72%。

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