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新能源汽车对碳化硅的需求量 2026年车用碳化硅器件市场

碳化硅单晶制备一直是全球性难题,晶体生长工艺的稳定性难以保证。碳化硅整个产业链大致上可以分成衬底、外延、器件3类厂商,然而在这一环接一环的生产程序上,目前每个环节的良品率都不是很高,生产的衬底很难合格,导致最终的器件成本极高,同时性能也不稳定,产量难

碳化硅作为第三代半导体材料拥有良好的发展前景,新能源汽车是其核心驱动力,其次为光伏及工控领域的器件应用。

市场分析机构Yole预计,全球碳化硅功率器件市场将从2021年的10.90亿美元增长至2027年的62.97亿美元,年复合增长率达34%。集邦咨询则预计2026年车用碳化硅器件市场将达到39.4亿美元。

全球碳化硅功率器件市场供应问题

3月初,埃隆·马斯克在投资者大会上宣布:未来要削减特斯拉75%的碳化硅用量。而当年正是特斯拉率先在Model 3主驱的逆变器上使用碳化硅,一手开辟了碳化硅“上车”的先河。

业内分析,特斯拉之所以弃“碳”而行,可能是出于成本、产能等多方位考量做出的无奈选择。有消息人士分析,此举与其碳化硅供应商有很大关系,也有人认为电动汽车巨头担心碳化硅良品率低和供应能力不足。

碳化硅单晶制备一直是全球性难题,晶体生长工艺的稳定性难以保证。碳化硅整个产业链大致上可以分成衬底、外延、器件3类厂商,然而在这一环接一环的生产程序上,目前每个环节的良品率都不是很高,生产的衬底很难合格,导致最终的器件成本极高,同时性能也不稳定,产量难以保证。

新能源汽车对碳化硅的需求量很大,而供应又迟迟跟不上车企产能扩张的节奏。有国内碳化硅头部厂商表示:“我们目前没有多余碳化硅产能外供,虽然特斯拉喊出‘减碳’,但实际上碳化硅的使用量在逐年增加并没有减少,市场需求强劲。”

江西新能源科技职业学院新能源汽车技术研究院院长张翔也表示:“相较于传统硅材料,碳化硅材料性质更匹配高压平台,具备耐压能力强、效率高、体积小等优势,当前仍是新能源车电驱动方案的最优选择。”

由此可见,减用碳化硅只是新能源汽车企业出于精打细算的综合抉择,并不是改弦更张、另起炉灶。

根据中研普华研究院《2022-2026年中国碳化硅行业竞争格局及发展趋势预测报告》显示:

碳化硅应用前景广阔,国内企业也看准了这个赛道。“但是碳化硅晶体生长极其困难,20世纪90年代只有少数发达国家掌握晶体生长和加工技术,我国碳化硅技术起步相对较晚,目前国内企业正在碳化硅领域奋起直追。”陈小龙说。

以6英寸碳化硅衬底为例,国内良品率大概有40%,海外有60%~70%。另外,碳化硅半导体场效应晶体管分为平面类和沟槽类,在同等条件下,沟槽类更具备成本和性能优势,但国内企业需要跨过巨大的专利鸿沟。

业内人士指出,当前碳化硅的下游需求依旧旺盛,特别是车用级碳化硅衬底产能仍偏紧,国内业界对于碳化硅国产替代的呼声非常高。国家也意识到了这个问题,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中提出,将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生一批高速成长的新材料企业。更值得注意的是,目前已有要对中国禁售碳化硅等产业高精尖设备的迹象,所以碳化硅国产化之路势在必行。

现在业内已经纷纷行动起来,布局碳化硅产业,加入碳化硅的国产化队伍。据不完全统计,2022年国内新立项、签约的碳化硅项目投资额超过476亿元,而2018年这个数字还只有50亿元。

业内人士指出,随着未来两三年产能密集释放,国内碳化硅市场供需将会趋于平衡,成本将加速下降。届时,国内碳化硅中低端产品的市场竞争或将更加激烈,业内需要在技术突破上重点发力,实现弯道超车和自主可控,缩小与国际巨头的差距,争取在碳化硅高端市场分得一杯羹。

功率半导体正从传统硅基功率器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金氧半场效晶体管),走向以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的时代。

在这条赛道上,企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现。

多位长期关注功率半导体发展的专业人士对《中国经营报》记者表示,伴随着 5G、物联网、新能源等行业的迅速发展,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力的碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体材料进入快速发展阶段,市场前景广阔。

由于 SiC器件具有耐高温、低损耗、导热性良好、耐腐蚀、强度大、高纯度等优点,并且在禁带宽度、绝缘击穿场强、热导率以及功率密度等参数方面要远远优于传统硅基半导体。

与碳化硅一样,氧化镓同样被业内所看好,但是,氧化镓还有诸多技术瓶颈待突破。比如,由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性,大尺寸氧化镓单晶制备较难实现,距离真正规模化、商业化量产还需要一定时间。

根据TrendForce集邦咨询《2023 SiC功率半导体市场分析报告》,随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化, 2023年整体SiC功率元件市场规模有望增长至22.8亿美元,年成长率为41.4%。同时,受惠于电动汽车及可再生能源等下游主要应用市场的强劲需求,2026年SiC功率元件市场规模有望达到53.3亿美元。另Yole数据显示,预计到2023年,全球碳化硅材料渗透率有望达到3.75%。

海内外巨头也纷纷锚定了这一蓝海市场。汽车半导体芯片巨头瑞萨电子在日前宣布,将于2025年开始使用SiC来生产降低损耗的下一代功率半导体产品,计划在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂进行量产,但具体投资金额和生产规模尚未确定。

值得注意的是,瑞萨电子此前很少涉及SiC相关业务,不过,作为新玩家,瑞萨社长兼CEO柴田英利表示,“在功率半导体上、我们起步非常慢。客户对瑞萨IGBT的评价非常高、会将这些评价活用至SiC业务上。现在SiC市场仍小,但将来毫无疑问会变得非常大。”

《2022-2026年中国碳化硅行业竞争格局及发展趋势预测报告》由中研普华研究院撰写,本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析,重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力,以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态,对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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