存储芯片下行周期有望见底 A股上市公司加速布局 机构：三季度存储芯片平均单价有望上涨5%-10%

• 曾燕 2023年9月9日 来源：互联网 344 15
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近期，存储芯片大厂三星、SK海力士、美光公司等陆续控制产能、酝酿提价，受到业界关注。对此，多位业内人士表示，存储芯片价格下行周期一般为1年至2年，本轮存储芯片价格下行自2021年年中开始，结合各大厂自去年下半年起陆续下调产能计划，存储芯片下行周期逐渐走向尾声

存储芯片下行周期有望见底 A股上市公司加速布局

近期，存储芯片大厂三星、SK海力士、美光公司等陆续控制产能、酝酿提价，受到业界关注。对此，多位业内人士表示，存储芯片价格下行周期一般为1年至2年，本轮存储芯片价格下行自2021年年中开始，结合各大厂自去年下半年起陆续下调产能计划，存储芯片下行周期逐渐走向尾声。信息技术高速发展带来数据存储需求不断增长，未来存储芯片市场空间广阔，在行业周期触底之际，A股上市公司竞相布局存储芯片赛道。一方面，加快技术升级提升竞争力，另一方面，积极开拓市场增加市场份额，紧抓行业复苏机遇。

上市公司加速拓展市场

目前全球主要的NAND Flash厂商为三星、铠侠、西部数据、SK海力士等，DRAM主要厂商为三星、SK海力士等。我国存储芯片厂商目前所占市场份额较低。在全球存储芯片周期低谷之中，多家A股上市公司逆势布局，通过并购、定增等提升竞争力。

9月6日，江波龙披露拟购买力成科技(苏州)有限公司70%股权事项进展。本次交易完成后，江波龙将通过控制及实际运营力成科技(苏州)有限公司新增存储芯片封装测试等业务，补足公司封装测试的生产能力，完善产业链布局。今年6月份，江波龙还宣布拟购买SMART Brazil及其子公司81%股权，进一步拓展当地市场。

江波龙近日在业绩说明会上表示：“今年上半年公司业绩有所承压，但实际上从全球市场份额来看，公司市占率反而有所提升。未来，公司将聚焦于存储产业，不断提升公司的市场影响力和核心竞争力，进一步提升经营管理水平，增强公司的长期盈利能力。”

今年7月份，佰维存储披露定增预案，拟募资不超过45亿元，用于惠州佰维先进封测及存储器制造基地扩产建设项目、晶圆级先进封测制造项目、研发中心升级建设项目、补充流动资金。

佰维存储方面表示：“本次定增将提升公司的存储器封测产能并构建晶圆级封测能力。当前，国产存储产业链属于发展初期，挑战与机遇并存，公司此次定增有助于把握行业发展的历史性机遇。”

深科技方面近日在接受机构调研时表示：“公司认为随着先进封装技术壁垒不断提高，率先拥有先进封装技术和产能储备的封测企业将有望通过技术和规模壁垒取得行业领先优势。在存储半导体领域，公司将紧跟存储半导体行业市场和国内外客户需求，继续加快扩充优质产能，通过优化产品结构发展新业务，进一步拓宽业务布局。”

据中研普华产业研究院出版的《2023-2028年中国存储芯片行业市场竞争分析及发展预测报告》统计分析显示：

HBM" 救场 " 存储芯片巨头财报，三星电子存储业务所在 DS 部门二季度亏损收窄，SK 海力士二季度销售额超出分析师预期，公司表示，生成式AI 市场的扩张已迅速推高了对 AI 服务器内存的需求，因此，HBM3 和 DDR5 等高端产品的销量增加。

美光科技此前曾表示，AI 服务器对 DRAM 和 NAND 的容量需求分别是常规服务器的 8 倍和 3 倍。存储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的是 DRAM，非易失性存储芯片常见的是 NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片。

存储芯片往往被作为半导体产业的风向标，呈现出较强的周期性，行业景气度受供需关系影响较大，在景气度高涨时，各厂商扩大产能以增加收入，易导致供应过剩，而在景气度下降时则收缩产能、降价清理库存，最终导致市场供不应求。

半导体需求及价格持续滑落，造成南韩半导体大厂满手库存，据外媒报导，三星电子、SK海力士和东部高科，截至2023年第一季度末，半导体库存总额已接近50兆韩元，创下有统计以来最高库存金额历史纪录。

产业市况低迷，对三星电子和SK海力士两大厂商影响明显，三星电子存储业务的营收，连续三个季度季比及年比大幅下滑;SK海力士的营收也是连续三个季度季比及年比皆大幅下滑，去年四季度和今年一季度更出现了亏损。

根据芯片资深从业人员透露，三星电子已经通知了它的分销商，将不再以低于当前价格出售DRAM芯片。

三星作为内存龙头企业，它的DRAM价格如果可以停止下跌，那其它厂商大概率会效仿，比方说：中国龙头企业的颗粒报价已经从上周开始抬升。当龙头企业的价格已停止下跌时，或许还会有更多的厂商会效仿，那么现货价格或许很快就能起稳，那涨价也是大概率事件。

存储芯片根据其性质可划分为不同的类型。按照掉电后数据是否可以继续保存在器件内，存储芯片可分为：掉电易失和掉电非易失两种。

易失存储芯片主要包含：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。像这次三星价格反弹的芯片，也就是这个动态随机存储器(DRAM)。

非易失性存储器主要包括：可编程只读存储器 (PROM)，闪存存储器(Flash)和可擦除可编程只读寄存器(EPROM/EEPROM)等。

在这么多种类种，目前主要由：DRAM 和 NAND Flash ，这两种占据主要存储芯片市场。

据 TrendForce 数据，22Q4 全球 DRAM 市场规模为121.55 亿美元，主要被：三星、SK 海力士等三家巨头垄断，三家市场份额合计高达 95.8%。

机构：三季度存储芯片平均单价有望上涨5%-10%

9月4日，研究机构野村最新报告指出，第三季主要存储芯片价格已趋稳定或上升，价格较高的HBM、DDR5和LPDDR5X组合增加，使存储芯片平均单价有望上涨5%-10%。但DDR4和NAND领域需求仍疲弱，因此野村预期，存储芯片大厂第四季可能扩大减产，年底库存有机会降至正常水准。

未来行业市场发展前景和投资机会在哪?欲了解更多关于行业具体详情可以点击查看中研普华产业研究院的报告《2023-2028年中国存储芯片行业市场竞争分析及发展预测报告》。由中研普华研究院撰写，本报告对我国存储芯片行业的供需状况、存储芯片发展现状、存储芯片子行业发展变化等进行了分析，重点分析了存储芯片行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、存储芯片行业的发展建议、存储芯片行业竞争力，以及行业的投资分析和趋势预测等等。存储芯片报告还综合了行业的整体发展动态，对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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在形式上，存储芯片报告以丰富的数据和图表为主，突出文章的可读性和可视性，避免套话和空话。报告附加了与行业相关的数据、存储芯片政策法规目录、主要企业信息及存储芯片行业的大事记等，为投资者和业界人士提供了一幅生动的存储芯片行业全景图。

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