根据咨询研究,随着终端及IC客户库存陆续消化至较为健康的水位,及下半年iPhone、Android阵营推出新机等有利因素,带动第三季智能手机、笔电相关零部件急单涌现,但高通胀风险仍在,短期市况依旧不明朗,故此波备货仅以急单方式进行。
根据咨询研究,随着终端及IC客户库存陆续消化至较为健康的水位,及下半年iPhone、Android阵营推出新机等有利因素,带动第三季智能手机、笔电相关零部件急单涌现,但高通胀风险仍在,短期市况依旧不明朗,故此波备货仅以急单方式进行。
此外,台积电、三星3nm高价制程贡献营收亦对产值带来正面效益,带动2023年第三季前十大晶圆代工业者产值为282.9亿美元,环比增长7.9%。 展望第四季,在年底节庆预期心理下,智能手机、笔电供应链备货急单有望延续,又以智能手机的零部件拉货动能较明显。
碳化硅晶圆行业前景及现状如何?未来碳化硅晶圆市场投资趋势怎么样?碳化硅晶圆是一种高级半导体材料的基板,通常用于制造功率电子器件和高温、高频电子器件。
它由碳和硅元素组成,具有出色的电子性能和热性能。碳化硅晶圆是一种基础材料,上面可以生长单晶碳化硅薄片,用于制造各种电子器件,如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、肖特基二极管、光电二极管等。
随着新能源汽车、5G等领域的飞速发展,碳化硅晶圆的应用需求将逐渐增加,市场规模也将逐步扩大。未来SiC晶圆制造技术的发展趋势将朝着高质量、低成本、可持续性和多功能化的方向发展,以满足不断增长的市场需求。这些趋势将有助于促进SiC晶圆的广泛应用,并推动电子设备在高温、高频、高功率和高效能性方面的发展。
中研研究院出版的《2023-2028年全球与中国碳化硅晶圆行业市场调研及发展趋势分析报告》显示
碳化硅晶圆是一种基础材料,上面可以生长单晶碳化硅薄片,用于制造各种电子器件,如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、肖特基二极管、光电二极管等。
SiC产业链已经相对完善,从衬底到外延,国内和国际都有生产的企业,并且主要以IDM企业为主,纯Fabless和Foundry企业的数量较少。SiC器件的漂移区电阻要比硅低200倍,即使高耐压的 SiC场效应管的导通压降,也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且,SiC器件的开关时间可达10nS量级,并具有十分优越的 FBSOA。
市场趋势:
抗辐射性和高温稳定性:碳化硅在高辐射环境中具有卓越的性能,因此在核能和航天应用中广泛使用。此外,其在高温稳定性方面的性能也使其在极端条件下的应用增多。
高温、高频和高功率应用需求:碳化硅在高温、高频和高功率电子器件中表现出色,因此受到这些应用领域的广泛关注,如电力电子、电动汽车、无线通信和军事领域。需求的增长推动了碳化硅晶圆市场的扩张。
节能和环保:碳化硅材料的高效能性和低功耗特性使其在节能和环保领域中备受欢迎。电动汽车、太阳能逆变器和其他能源转换设备的需求推动了碳化硅晶圆的市场增长,因为它有助于减少能源浪费。
电力电子应用:碳化硅在电力电子应用中表现出色,可用于高压和高温环境下的功率电子器件。随着可再生能源的普及和电力转型的推进,碳化硅晶圆在电力电子市场中的需求不断增加。
今年来,宝马、极氪等与安森美达成碳化硅长期供货协议,Wolfspeed与梅赛德斯也达成碳化硅器件供应合作; 4月份小鹏正式推出了新一代技术平台SEPA 2.0扶摇全域智能进化架构,采取全域800V高压碳化硅平台,综合效率达92%;
哪吒GT搭载800V碳化硅电驱;东风汽车发布马赫E品牌,将搭载自主开发的碳化硅控制器,还将于年底量产碳化硅模块。
从技术上来看,碳化硅晶圆面积的扩大之路并不好走。全球碳化硅(SiC)晶圆主要制造商包括Wolfspeed、ROHM Group (SiCrystal)、SK Siltron、Resonac、Coherent、北京天科合达、STMicroelectronics、SICC、河北同光、CETC、三安光电等。全球碳化硅(SiC)晶圆市场非常集中,其中全球top5制造商超过78%市场份额。
碳化硅晶圆的市场需求不断攀升,主要是因为硅基功率器件已经接近其物理极限,特别是在高速或大功率方面的应用。而碳化硅在材料特性和供应链成熟度方面都处于前列,电动汽车、充电基础设施、绿色能源生产和更高效的功率器件的需求,都在推动碳化硅市场不断扩大。
如今,无论是上游材料、晶圆代工厂、器件、封装,国内在 SiC 的各个细分供应链环节都已有玩家在积极参与。但目前海外厂商在碳化硅领域仍占据先发优势,国内企业仍在起步阶段,技术不断追赶同时产能尚在爬坡。
虽然市场产销两旺,但中国碳化硅功率器件仍处于早期阶段,如何降低成本、稳定质量、提升良率,是国产碳化硅功率半导体大规模应用的关键。
2024年中国碳化硅晶圆在全球的占比有望达到50%。国产设计厂商持续推出导通电阻更低、性能更优的碳化硅芯片产品,同时传统设计公司已开始涉足碳化硅晶圆制造产线建设,拟完成碳化硅 IDM 能力构建。
国产代工厂商持续提升工艺平台能力、扩建产能。可比国产 IGBT 上车历史,凭借供应本土化优势,国产碳化硅模块厂商有望加速上车,2024年有望成为器件国产化元年;2024年碳化硅晶圆有望国产替代。
国内外大公司寻求签订长单成为行业“新常态”。除了三安光电手握巨额订单,天岳先进与天科合达均于5月3日在官网披露,其与英飞凌签订了一份长期协议,为后者提供高质量且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒,并助力其向8英寸碳化硅晶圆过渡。
预计2028年全面落成达产后,8 英寸碳化硅晶圆产能将达 1 万片 / 周。此外,三安光电还将利用自有 SiC 衬底工艺,单独建造和运营一座新的 8 英寸碳化硅衬底制造厂,以满足合资厂的衬底需求。
随着未来800V电压平台推出,在大功率,大电流条件下减少损耗、增大效率和减小器件尺寸,电机控制器的主驱逆变器将不可避免从硅基IGBT替换为SiC基MOS模块,存量替代市场空间巨大。
同时国内市场也有多家企业布局SiC产业,未来市场竞争格局将持续深化。预计27年市场空间将超过60亿美元。根据Yole测算,仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金,复合年增长率约34%。从细分行业来看,新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。
由于碳化硅的材料特性,它具有较高的电子迁移率、热导率和抗辐射性,因此在高温、高电压、高频和高辐射环境下表现出色,使其在电力电子、无线通信、航空航天等领域广泛应用。
碳化硅晶圆的制备通常涉及化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等工艺,以生长单晶碳化硅薄片,然后进行切割和研磨,以获得所需尺寸和表面质量的晶圆。
中国碳化硅晶圆行业市场的发展现状,通过公司资深研究团队对市场各类资讯进行整理分析,碳化硅晶圆行业研究报告可以帮助投资者合理分析行业的市场现状,为投资者进行投资作出行业前景预判,挖掘投资价值,同时提出行业投资策略和营销策略等方面的建议。
中国碳化硅晶圆行业的内外部环境、行业发展现状、产业链发展状况、市场供需、竞争格局、标杆企业、发展趋势、机会风险、碳化硅晶圆发展策略与投资建议等进行了分析。
据了解,该行业发展空间极大,未来碳化硅晶圆市场现状如何呢?请查看,中研研究院出版的《2023-2028年全球与中国碳化硅晶圆行业市场调研及发展趋势分析报告》。
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2023-2028年全球与中国碳化硅晶圆行业市场调研及发展趋势分析报告
碳化硅晶圆是一种高级半导体材料的基板,通常用于制造功率电子器件和高温、高频电子器件。它由碳和硅元素组成,具有出色的电子性能和热性能。碳化硅晶圆是一种基础材料,上面可以生长单晶碳化硅...
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