中国电子信息新材料行业产能规模分析 持续增长

• 洪前进 2023年3月16日 来源：中研网 333 14
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近些年来我国电子信息新材料行业总体处于供需紧平衡的市场供需格局，2018-2022年期间行业产销率总体维持在85%以上水平。

新材料产业是支撑我国经济发展和产业结构转型升级的基础性、先导性、战略性产业。

随着我国电子信息产业快速发展，与之相关的电子新材料产业也迎来高速发展，成为新材料领域中发展速度最快、最具活力的行业之一。根据工信部相关数据显示，截至2021年底，我国电子信息新材料产业市场规模达933.6亿元，4年间行业年复合增长率达8.7%。

我国当前中美两国科技竞争日趋激烈，中国企业从海外获得电子信息新材料与技术的难度剧增。新材料技术不实现自主可控而完全依赖进口，虽然短期内能够实现发展，但终将面临"断粮"与"掐脖子"风险。如美国以断供芯片等手段制裁华为，导致华为的手机业务面临瘫痪，该事件表明中国企业在科技领域唯有充分实现电子信息新材料供应链的自主可控才能应对国际形势突变形成的危机，中国唯有发展自主技术才能抵御海外突然技术禁运带来的风险，电子信息新材料的国产化程度将直接决定中国能否成为制造业强国。

通过2018-2022年期间我国电子信息新材料行业产销量情况可以看出，近些年来我国电子信息新材料行业总体处于供需紧平衡的市场供需格局，2018-2022年期间行业产销率总体维持在85%以上水平。

目前影响我国电子信息新材料行业供需平衡因素主要包括供给侧和需求侧两方面，供给侧行业产能规模情况以及下游行业市场需求情况两方面共同影响行业供需平衡结构。

目前我国电子信息新材料产业主要包括光刻胶、第三代半导体材料、稀土永磁材料、导热材料、聚酰亚胺薄膜、OLED发光材料、光学膜以及微波介质陶瓷等。

图表：2018-2022年中国电子信息新材料行业产能规模情况(单位：万吨)

数据来源：企业公开资料、中研普华产业研究院整理

根据中研研究院《2023-2028年中国电子信息新材料行业市场全面分析及发展调研报告》分析得知，截至2022年底，行业产能规模达1650万吨，较2021年有了较大幅度增长。

目前我国电子信息新材料行业总体处于供需紧平衡态势，2022-2027年期间，我国电子信息行业将在投融资规模持续增长带动下，产能规模将得到进一步抬升，加之国产替代进一步增强，我国电子信息新材料行业企业将在高端市场中进一步扩大在高端产品领域产能规模，预计至2027年底，行业产量规模有望达到2500万吨，销量规模有望达到2175万吨，产销率有望达到87%，未来我国电子信息新材料行业有望长期维持供需紧平衡态势。

根据国内第三方工商注册服务机构--企查查查询结果显示：截止2022年11月底，国内经营状态为"存续"和"在业"的企业中经营业务包含有"电子信息新材料"的企业约有30万家，知名品牌也相对较多，根据电子信息新材料类别的不同，又可以分为以下几个细分领域，每个细分领域的品牌也不尽相同。

为了对国内电子信息新材料整体发展质量进行评定和衡量，中国电子信息新材料协会在2022中国成都国际电子材料产业展览会针对国内500家电子信息新材料下游应用企业进行了问卷调研，以期获取下游用户对国内电子信息新材料供应商提供产品的整体满意度，并针对下游用户反馈的问题进行协商探讨，促进国内电子信息新材料产业更好更快的发展。

光刻胶是一种在半导体制造、印制电路板、显示面板行业中使用的尖端材料，其中半导 体光刻胶技术含量最高、生产难度最大。在集成电路发展历史上，光刻胶的迭代升级对 整个行业的进步做出了重要的贡献，摩尔定律的演进与光刻胶技术进步存在着紧密的联 系。展望未来，电动智能汽车，5G 终端，可穿戴设备，智能家居等领域有望持续拉动 芯片的终端需求，进而扩大半导体制造和光刻胶的市场规模。随着全球半导体产业向中 国迁移以及"国内大循环"战略的推进，我国半导体行业发展空间巨大。然而，当前我 国光刻胶国产化比例很低，高端半导体光刻胶基本完全依赖进口，存在被"卡脖子"的 风险。突破光刻胶的海外技术垄断，目前已经成为我国科技前沿攻关的关键环节。

光刻胶是一种在不同光照、辐射等因素的影响下溶解度会出现改变的特殊材料。当我们 使用紫外光、电子束、离子束、各类射线照射光刻胶材料时，光刻胶的溶解度会改变。 凭借这一特殊性质，光刻胶在微电子制造、微细图形线路蚀刻领域有极高的应用价值， 是半导体制造中最关键的材料之一。光刻胶的主要原材料包括树脂(Resin)、感光剂 (Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)。按照特定比例混合树脂和感光剂 可以得到感光树脂，感光树脂起到粘结聚合作用，它会明显影响光刻胶硬度、柔韧性等 物理性质。此外，光引发剂(photoinitiator)也是光刻胶的关键成分，它决定了光刻胶 的感光度和使用分辨率。

光刻胶的关键性能指标主要是分辨度、敏感度、对比度。不同应用领域、不同技术路线 的光刻胶在以上关键性能指标上有着明显差异。高分辨度意味着临界尺寸小，进而意味 着操作能够更加精细。高对比度意味着曝光部分和未曝光部分的差异更加明显，有利于 后续操作。高灵敏度意味着使得光刻胶起作用的光能阈值更低，在紫外线光刻胶领域中， 灵敏度较为重要。

根据光刻胶的应用领域，光刻胶可以分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶以及半导体光刻 胶。从研发难度来看，用于印制电路板的 PCB 光刻胶难度最小，用于液晶显示面板的 LCD 光刻胶研发难度居中，而用于集成电路制造半导体光刻胶研发难度最大，对各项关 键性能的要求最高。根据使用原理，光刻胶也可以分为负性光刻胶和正性光刻胶。虽然 负性光刻胶在许多化学性质以及成本方面占据优势，但是负性光刻胶的分辨率指标整体 弱于正性光刻胶，极大影响了负性光刻胶在尖端领域的应用价值。在前沿半导体制造领 域中，大部分 ArF 光刻胶和 EUV 光刻胶均属于正性光刻胶。

由于光刻胶的性能直接决定了微电子制造行业的操作精度，光刻胶在技术上的进步与摩 尔定律的演进密不可分。在某种意义上，没有光刻胶的更新迭代，微电子行业就无法实 现从微米级到纳米级的进化。自上世纪 50 年代开始，光刻技术经历了紫外全谱、G 线、 I 线、深紫外、极紫外和电子束光刻等六个阶段，光照或辐射的波长逐步降低。这一过 程中，光刻胶性能得到了明显改善，为全球光电产业发展奠定基础。以当前光刻胶技术 迭代为例，在 7nm 以下的制程中，ArF 光刻技术精度有限。因此，采用此技术的 7nm 制程有工艺复杂、量产难度大的特点，而采用分辨率更高的 EUV 光刻技术可以大幅提 升效率，简化生产工艺，从而促进先进制程在半导体产业中的渗透进度。

光刻环节在半导体制造过程中非常重要，光刻胶是光刻环节中使用到的核心材料。由于 光刻环节的好坏直接影响最终产品的质量，因此光刻环节是整个半导体制造过程中的关 键步骤。光刻环节在整个半导体制造过程中所占的成本比例高，光刻工艺耗时较长。根 据智研咨询数据，光刻工艺的成本在芯片制造过程中占到 35%左右，耗时占整个芯片制 造工艺的 40-50%。

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