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中国射频芯片行业发展前景展望

中国射频芯片行业发展前景展望

一、行业发展影响因素分析

1、有利因素

由于射频电路难度较高,全球射频前端芯片市场目前仍主要被美日厂商垄断。射频前端领域设计及制造工艺复杂、门槛极高,主要由欧、美、日等传统大厂垄断,而我国射频芯片厂商依然在起步阶段,市场话语权有限,各家企业在某些产品或有亮点,但是整体与国际巨头相差甚大,但是也反映出国产射频芯片有巨大成长空间。在中美贸易摩擦的背景下,芯片国产化程度需急剧提升,射频芯片领域的国产替代前景广阔。

2、不利因素

目前射频芯片工艺节点趋势为0.13um及65nm,通常一个频段(或包括邻近频段)对应一个芯片单元(1个芯片单元可集成百个晶体管),多个频段需要多个芯片单元。随着手机通信的频段、模式增多,以及带宽不断增加,如今的射频芯片需要支持十几个通道,并满足高带宽、抗干扰能力强等性能要求,所以设计难度很高。射频芯片主要壁垒技术为寄生参数、版图寄生参数、电磁耦合干扰、模块后的难度加剧、外部电路结构的反向影响。

二、行业发展趋势分析

众所周知,射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分,追求低功耗、高性能、低成本是其技术升级的主要驱动力,也是芯片设计研发的主要方向,5G标准下现有的移动通信、物联网通信标准将进行统一,因此未来在统一标准下射频前端芯片产品的应用领域会被进一步放大。同时,5G下单个智能手机的射频前端芯片价值亦将继续上升。

在随着全球5G世代即将来临,持续驱动8寸与12寸晶圆厂产能需求,不仅部分晶圆厂扩产旗下8寸厂射频SOI(RFS icon On Insulator)产能,以期能赶上强劲的市场需求,目前包括台积电、Global Foundries、Tower Jazz及联电等更同时扩充或导入12寸厂RFSOI制程,全力迎接第一波5G射频芯片订单商机。

三、行业发展前景预测

过去十几年的时间,通讯行业经历了从2G到3G,再由3G到4G的逐步迭代, 再从4G升级到如今的5G,更多频段的开发和新技术的引入让高速网络普及,这其中就伴随着射频芯片的不断升级。《每日财报》分析认为,从实际出发,5G相比于4G增加了新频段,而支持新频段就需要增加配套的射频前端芯片,这就为行业打开了需求空间。

从需求端来看,手机是射频芯片的最大消费领域,从历史进程来看,无线通讯网络每升级一代, 就带来了更多的频段和制式,对应需要更多的射频芯片,例如 PA (功率放大器)直接决定了手机无线通信的距离、信号质量,甚至待机时间,是整个射频系统中除基带外最重要的部分,手机里面PA的数量随着2G、3G、4G、5G 的进化而向前兼容,从而带来频段不断增加。5G 被引入智能手机,大量频段被集成到一部手机,直接带来射频芯片用量的急剧增加。

除此之外,通讯基站同样是射频芯片需求量很大的一个领域。基站射频芯片是实现信号收发的核心芯片,随着通讯技术升级,基站天线更加系统化和复杂化,基站天线用量也在大幅提升,每一路天线都连接滤波器、功放、射频开关等元器件,最后通过连接器与光纤相连接,收发通道数目的增加将会带来对这些环节需求量的提升。

国射频芯片行业投资壁垒分析

一、资金壁垒

半导体芯片行业资金壁垒分析资金壁垒半导体行业不仅需要高精尖专业人才的支持,同时还需要机器设备的支持。目前很多半导体设备还依赖于进口,价格高昂。

二、技术壁垒

首先,射频芯片领域技术壁垒高,需要依靠长期的经验积累;其次,射频芯片设计涉及的理论知识繁多复杂;再次,很多射频芯片的指标要求都是要挑战工艺极限,需要很多创新性的电路结构;最后,关键的还是工艺及封装的物理限制或者模型的不准确性导致的难题。特别是随着5G通信技术的普及,电子设备支持的频段越来越多,移动网络速度也随之加快。在这一演进过程中随着射频前端器件数量不断增加,多频段设计复杂程度更是迎来了指数级的增加。正是因为射频芯片如此之难,加上国内厂商又错失了先发优势,这就让射频芯片成为了一个被海外厂商垄断的市场。

三、客户壁垒

卓胜微的开关和LNA,依靠着大客户壁垒和供应链壁垒占了70%份额,剩余30%的份额任由7~8家公司去争抢。2021年国内前十大手机客户端PA采购金额近200亿元,国外厂商市占率为70%左右。唯捷创芯占有率为15%,慧智微、昂瑞微、卓胜微、锐石创芯和飞骧科技共占市场15%的份额。

射频芯片架构包括接收通道和发射通道两大部分。对于现有的GSM和TD-SCDMA模式而言,终端增加支持一个频段,则其射频芯片相应地增加一条接收通道,但是否需要新增一条发射通道则视新增频段与原有频段间隔关系而定。对于具有接收分集的移动通信系统而言,其射频接收通道的数量是射频发射通道数量的两倍。这意味着终端支持的LTE频段数量越多,则其射频芯片接收通道数量将会显著增加。例如,若新增M个GSM或TD-SCDMA模式的频段,则射频芯片接收通道数量会增加M条;若新增M个TD-LTE或FDDLTE模式的频段,则射频芯片接收通道数量会增加2M条。LTE频谱相对于2G/3G较为零散,为通过FDDLTE实现国际漫游,终端需支持较多的频段,这将导致射频芯片面临成本和体积增加的挑战。

为减小芯片面积、降低芯片成本,可以在射频芯片的一个接收通道支持相邻的多个频段和多种模式。当终端需要支持这一个接收通道包含的多个频段时,需要在射频前端增加开关器件来适配多个频段对应的接收SAW滤波器或双工器,这将导致射频前端的体积和成本提升,同时开关的引入还会降低接收通道的射频性能。因此,如何平衡射频芯片和射频前端在体积、成本上的矛盾,将关系到整个终端的体积和成本。

《2023-2028年中国射频芯片行业市场深度调研与竞争预测报告》由中研普华射频芯片行业分析专家领衔撰写,主要分析了射频芯片行业的市场规模、发展现状与投资前景,同时对射频芯片行业的未来发展做出科学的趋势预测和专业的射频芯片行业数据分析,帮助客户评估射频芯片行业投资价值。

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