2023年中国IGBT行业发展现状及发展趋势分析

• 李基锦 2023年12月15日 来源：互联网 1420 94
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功率半导体主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能处理的核心器件，弱电控制与强电运行间的桥梁,细分产品主要有MOSFET、BJT、IGBT等，而IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。

功率半导体主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能处理的核心器件，弱电控制与强电运行间的桥梁,细分产品主要有MOSFET、BJT、IGBT等，而IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。

IGBT也称绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。一般MOSFET器件或模组可承受电压范围为20-800V，而IGBT可承受1000V以上的高电压，因而是电子领域较为理想的开关器件。

IGBT产业链的上游原材料主要为硅晶圆、光刻板、引线框架、新型宽禁带材料以及其他辅助材料等;中游包括产品的设计、研发生产和封装等工序，产品大致可以分为功率分立器件、功率IC和功率模组三大类，目前专业从事IGBT产品研发设计和销售的企业主要有英飞凌、三菱、富士电机、安森美、斯达半导、士兰微、时代电气等等;产业链的下游应用市场有消费电子、家用电器、轨道交通、工业控制、网络通信、军工航天以及新能源产业链。

IGBT行业发展现状

IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。据YOLE数据显示，2022年全球IGBT的市场规模约为68亿美元，受益于新能源汽车、新能源、工业控制等领域的需求大幅增加，预计2026年全球IGBT市场规模将达到84亿美元。中国是全球最大的IGBT市场，约占全球IGBT市场规模的40%，预计到2025年中国IGBT市场规模将达到522亿元。

近年来，中国IGBT行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励IGBT行业发展与创新，《关于巩固回升向好趋势加力振作工业经济的通知》《关于加快培育发展制造业优质企业的指导意见》《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》等产业政策为IGBT行业的发展提供了明确、广阔的市场前景，为企业提供了良好的生产经营环境。

为了推动功率半导体行业尤其是 IGBT产业健康快速发展，国家相关部门不仅制定了相关的一系列政策措施，还不断加大金融扶持力度。其中，IGBT曾被划为国家专项重点扶持项目实施长达15年，该项目已于2021年成功收官。同时，IGBT 国产化还是国家十四五规划中关键半导体器件的发展重点之一。在国家政策引导和市场需求持续增长和的双重刺激下，吸引了一批拥有丰富科研经验的IGBT技术人才回国，同时也为斯达半导、士兰微、比亚迪、时代电气等企业提供了掌握IGBT核心技术的机会，进一步推进IGBT国产化进程，早日摆脱IGBT产品进口依赖这一现状。

IGBT是我国重大科技突破专项中的重点扶持项目，自2015年以来我国IGBT自给率超过10%并逐渐增长，预计2023年我国IGBT自给率将达32.9%。基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求，国产替代成为国内IGBT行业的发展趋势和促进行业内企业发展的主要驱动因素。

根据中研普华产业研究院发布的《2023-2028年中国IGBT行业发展现状及趋势预测报告》分析

IGBT 市场竞争格局

从全球市场竞争格局来看，欧美日厂商资金实力雄厚、技术水平领先、产业经验丰富， 凭借先发优势抢占了全球功率半导体绝大多数的市场份额，并且一直保持较大的领先优势。 国内厂商在全球竞争中不具备优势，所占市场份额较低。在国内市场竞争格局中，国际大厂 仍占据绝大部分市场份额，国产化率低于 20%。 得益于 IGBT 产品更新迭代缓慢，给予本土 IGBT 企业技术追赶时间，部分企业已实现 技术突破，并快速抢占市场。根据 2021 年英飞凌财报显示，本土企业士兰微在全球 IGBT 单管及 IPM 市占率达到 3.5%、2.2%，均位列全球第八;斯达半导在全球 IGBT 模块市占率 达 3.0%，位列全球第六。

行业发展趋势分析

国家政策有力支持

《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》在作为我国“十四五”时期根本性政策规划文件，对我国“十四五”时期发展有着重要指导作用。其中明确指出，在事关国家安全和发展全局的基础核心领域，制定实施战略性科学计划和科学工程。瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。从国家急迫需要和长远需求出发，集中优势资源攻关新发突发传染病和生物安全风险防控、医药和医疗设备、关键元器件零部件和基础材料、油气勘探开发等领域关键核心技术。

新型功率半导体器件行业是我国重点鼓励和支持的产业之一，为推动节能减排，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门陆续出台资金补贴计划，支持新型电力电子器件产业化。未来国家产业政策的支持将会不断推动功率半导体器件行业的技术进步，形成先进技术的自有知识产权，优化国产功率半导体器件的产品结构。

新能源汽车带动行业快速发展

IGBT在新能源汽车中主要用于电机电控的生产制造，其在新能源汽车的成本比重约为5%左右。而随着近年来IGBT在新能源汽车的应用比例不断提高，加上大功率电动汽车对IGBT的要求也逐渐提升，使得IGBT在新能源汽车的成本比重不断提升。随着新能源汽车规模的迅速扩展，也将带动IGBT行业快速发挥发展。

国产替代为行业发展重点目标

当前我国IGBT等高技术、高附加值的新型功率器件产品的国产化程度较较低，进口依赖程度较大。近年来，国家高度重视IGBT等半导体产业的发展，出台一系列政策来推进产品国产化进程，国产替代也成为国内IGBT行业的发展趋势和促进行业内企业发展的主要驱动因素。目前，国内IGBT相关企业的技术研发相继取得成功，比亚迪、斯达半导、中车集团等企业已实现部分相关产品的量产，此外华为也已组建专门负责IGBT技术研发的人才团队。可以预见，国产替代将是行业未来发展主旋律。

了解更多本行业研究分析详见中研普华产业研究院《2023-2028年中国IGBT行业发展现状及趋势预测报告》。同时, 中研普华产业研究院还提供产业大数据、产业研究报告、产业规划、园区规划、产业招商、产业图谱、智慧招商系统、IPO募投可研、IPO业务与技术撰写、IPO工作底稿咨询等解决方案。

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