作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。
作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面,如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备,以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面,IGBT用于家用电器、相机和手机。
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。
根据中研普华研究院撰写的《2023-2028年中国IGBT行业发展现状及趋势预测报告》显示:
IGBT行业发展现状及趋势报告
作为电力电子技术最具代表性的产品,IGBT是工业控制及自动化领域的核心元器件,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的,应用场景包括变频器、逆变焊机、电磁感应加热、工业电源等。
就应用场景而言,IGBT可分为消费类、工业级和车规级,车规级IGBT相对于工业级IGBT,对诸多耐受指标要求更为严格。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,集合了MOSFET开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点。
大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。2021年10月30日22时,国家电网自主研发生产的3300伏IGBT器件经过连续两天2次12小时40万千瓦功率大负荷连续试运行,在福建厦门柔直鹭岛换流站完成调试。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。
目前,英飞凌等头部企业在第七代IGBT上已经达到量产水平。由于IGBT的生命周期较长,产品迭代速率不追求你摩尔定律,使用周期较长,虽然老一代产品的损耗较大,但其芯片的面积较大,稳定性较好,部分领域仍会选择使用旧代产品,因此,IGBT在市场上呈现多代共存的状态。
IGBT产业链的上游原材料主要为硅晶圆、光刻板、引线框架、新型宽禁带材料以及其他辅助材料等;中游包括产品的设计、研发生产和封装等工序,产品大致可以分为功率分立器件、功率IC和功率模组三大类,目前专业从事IGBT产品研发设计和销售的企业主要有英飞凌、三菱、富士电机、安森美、斯达半导、士兰微、时代电气等等;产业链的下游应用市场有消费电子、家用电器、轨道交通、工业控制、网络通信、军工航天以及新能源产业链。
华润微发布2023年中报:2023年上半年,公司实现营业收入50.30亿元,同比下降2.25%。毛利率34.30%,同比下降3.17pct。归母净利润7.78亿元,同比下降42.57%。扣非归母净利润7.32亿元,同比下降43.97%。净利润下降原因主要系公司加大研发投入,同时深圳12英寸线、封测基地等新业务逐步开展,整体期间费用有所增长。
IGBT&第三代半导体增速明显。第三代半导体产品方面,公司收入同比增长约3.6倍,碳化硅MOS在新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域多个客户规模上量,碳化硅MOS上半年月度销售额持续攀升,在碳化硅功率器件销售中的比例逐步提升至50%以上;氮化镓产品在通讯、工控、照明和快充等领域实现近十家行业头部客户合作,产品进入批量供应阶段,助力营收同比增长192%。
宏微科技作为国内IGBT龙头企业之一,技术积累深厚,产品不断深入新能源市场,产能规划高增长,长期发展可期。光伏风电储能高速增长也驱动IGBT需求规模长期增长。公司产能积极规划布局,中长期业绩增长可期。子公司芯动能项目的交付产能首期规划投产120万块车规产品,2023年下半年开始投产和交付,或将成为未来公司额外产能供应点目前公司IGBT芯片迭代至第七代,部分产品性能与国际巨头媲美,完成了150A、200A的拓展,并且12寸1700VIGBT芯片已完成开发和验证;车用750V12寸芯片顺利开发;SiC二极管研发成功并实现小批量供货实现。公司产能积极规划布局,中长期业绩增长可期。公司短期业绩高速增长,预计2023-2025年EPS分别为1.02/1.62/2.36元。。投资者应该密切关注公司的产能扩张情况和上游代工厂的涨价情况,以及行业周期对价格的影响。
在激烈的市场竞争中,企业及投资者能否做出适时有效的市场决策是制胜的关键。IGBT行业报告对中国IGBT行业的发展现状、竞争格局及市场供需形势进行了具体分析,并从行业的政策环境、经济环境、社会环境及技术环境等方面分析行业面临的机遇及挑战。还重点分析了重点企业的经营现状及发展格局,并对未来几年行业的发展趋向进行了专业的预判。
本报告同时揭示了IGBT市场潜在需求与潜在机会,为战略投资者选择恰当的投资时机和公司领导层做战略规划提供准确的市场情报信息及科学的决策依据,同时对政府部门也具有极大的参考价值。同时包含大量的数据、深入分析、专业方法和价值洞察,可以帮助您更好地了解行业的趋势、风险和机遇。
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2023-2028年中国IGBT行业发展现状及趋势预测报告
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,集合了MOSFET开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小和BJTI...
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