受益于国家红利政策的扶持,中国本土光刻胶制造商积极提升光刻胶产品技术水平和研发能力,推进光刻胶国产化的进程。未来,中国有望突破高端光刻胶产品的技术壁垒,带动中国光刻胶产量进一步提升。在国家一系列红利政策带动下,国内半导体、平板显示及PCB行业发展势头良
光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一,在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,占芯片制造时间的40%~50%,光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。
光刻胶的应用范围主要有PCB板,LCD,LED和半导体,前面三种技术要求相对较低,但我国企业仍然没有实现完全自给。而半导体光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中,几乎被日美企业垄断,生产商主要有日本JSR、信越化学工业、日本TOK、陶氏化学等。
我国在2000年左右才开始着手光刻胶的研发,目前整体还处于起步阶段,工艺技术水平与国外企业有很大的差距,尖端材料及设备仍依赖进口。
目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等国家,包括陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、LG化学等等,中国公司在光刻胶领域也缺少核心技术。
我国光刻胶市场主要由日系的JSR、信越化学、东京应化等少数公司所垄断,国内光刻胶大规模产业化生产企业相对较少且企业所占市场份额较低,如2021年,晶瑞电材光刻胶业务收入为2.74亿元,所占行业市场份额仅2.94%;国内大部分企业目前仍处于光刻胶产品技术研发阶段或光刻胶生产线加紧建设阶段。
光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。
半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。
在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。
按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。
光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。
光刻胶是PCB、LCD和半导体等各应用行业的上游材料,一般相同用途的光刻胶,由于投资大、市场比下游应用行业小,行业集中度非常高,只能有几家企业生存。光刻胶专用化学品具有相似特征,即品种多、用量小、品质要求高,投资相对普通化学品大,行业集中度高。
据中研产业研究院《2023-2028年中国光刻胶行业深度分析与发展前景预测报告》分析:
光刻胶为集成电路中极为重要的材料,作为图形媒介物质,用于芯片制造的光刻环节,是必不可缺的关键材料。制造8寸、12寸晶圆需使用KrF、ArF光刻胶,全球8寸/12寸晶圆厂扩产将带动KrF、ArF光刻胶需求。预计全球光刻胶市场将在2024年实现反弹,增长7%,总额达到25.7亿美元。
根据SEMI数据,2026年全球300mm(12寸)晶圆厂产能有望提高至960万片/月;全球半导体制造商预计将从2021年到2025年将200mm晶圆厂产能提高20%,新增13条200mm生产线,产能有望超700万片/月,故未来KrF、ArF光刻胶将成为国内外厂商主要竞争市场。
受益于国家红利政策的扶持,中国本土光刻胶制造商积极提升光刻胶产品技术水平和研发能力,推进光刻胶国产化的进程。未来,中国有望突破高端光刻胶产品的技术壁垒,带动中国光刻胶产量进一步提升。在国家一系列红利政策带动下,国内半导体、平板显示及PCB行业发展势头良好,我国光刻胶产量呈现稳中有升态势。
与此同时,全球半导体产业、平板显示器、PCB行业逐渐向中国转移,带动中国光刻胶的需求激增,中国光刻胶行业拥有较大发展空间。除此之外,在中国“工业4.0”、“互联网+”、“中国制造2020”和“国产替代”持续深化发展的背景下,行业下游应用终端领域对光刻胶的需求有望持续增长,从而推动中国光刻胶产量提升,市场发展空间广阔。
在未来的几年中,这个行业将会面临哪些新的挑战和机遇?报告对我国光刻胶行业的发展状况、上下游行业发展状况、市场供需形势、新产品与技术等进行了分析,并重点分析了我国光刻胶行业发展状况和特点,以及中国光刻胶行业将面临的挑战、企业的发展策略等。报告还对光刻胶行业发展态势作了详细分析,并对光刻胶行业进行了趋向研判。
想要了解更多光刻胶行业详情分析,可以点击查看中研普华研究报告《2023-2028年中国光刻胶行业深度分析与发展前景预测报告》。
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2023-2028年中国光刻胶行业深度分析与发展前景预测报告
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